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    Degradation of Ka-Band GaN LNA Under High-Input Power Stress: Experimental and Theoretical Insights.
    Tong, Xiaodong ; Wang, Rong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5091-5096
    Online academicJournal
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    Impact of Correlated RF Noise on SiGe HBT Noise Parameters and LNA Design Implications.
    Jia, Xiaojia ; Niu, Guofu
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2324-2331
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    GaN-Based Robust Low-Noise Amplifiers.
    Colangeli, Sergio ; Bentini, Andrea ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3238-3248
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers.
    Huang, Tongde ; Axelsson, Olle ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 2297-2303
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Compact ESD Protection Design for CMOS Low-Noise Amplifier.
    Lin, Chun-Yu ; Huang, Guo-Lun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
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    Two-Stage Ku -Band Graphene Low Noise Amplifier MMIC With Improved Fabrication Process.
    Yu, Cui ; He, Zezhao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1596-1599
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Minimized Device Junction Leakage Current at Forward-Bias Body and Applications for Low-Voltage Quadruple-Stacked Common-Gate Amplifier.
    Wang, To-Po
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-05-01), Heft 5, S. 1231-1236
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Performance Enhancement of the nMOSFET Low-Noise Amplifier by Package Strain.
    Hua, W. C. ; Chang, H. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007), Heft 1, S. 160-162
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Impact of On-Chip Interconnections on CMOS RF Integrated Circuits.
    El-Desouki, Munir M. ; Abdelsayed, Samar M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-09-01), Heft 9, S. 1882-1890
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Low Noise-Figure P+ AA Mesh Inductors for CMOS UWB RFIC Applications.
    Chen, Chi-Chen ; Lee, Jen-How ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 12, S. 3542-3548
    Online academicJournal
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    Output-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits.
    Daghighi, Arash
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2257-2263
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    RF CMOS Integrated On-Chip Tunable Absorptive Bandstop Filter Using Q-Tunable Resonators.
    Kim, Byungguk ; Lee, Jangjoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), Heft 5, S. 1730-1737
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Gate-Source-Drain Architecture Impact on DC and RF Performance of Sub-100-nm Elevated Source/Drain NMOS Transistors.
    Jurczak, Wutthinan ; Jurczak, Malgorzata ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-03-01), Heft 3, S. 610-617
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Noise Modeling and Characterization for 1.5-V 1.8-GHz SOI Low-Noise Amplifier.
    Jin, Wei ; Liu, Weidong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-04-01), Heft 4, S. 803-809
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The Impact of Semiconductor Technology Scaling on CMOS RF and Digital Circuits for Wireless Application.
    Lee, Kwyro ; Nam, Ilku ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-07-01), Heft 7, S. 1415-1422
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An Interconnecting Technology for RF MEMS Heterogeneous Chip Integration.
    Chao, Tzu-Yuan ; Li, Chun-Hsing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-04-01), Heft 4, S. 928-938
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    CMOS Device and Circuit Degradations Subject to HfO<subscript>2</subscript> Gate Breakdown and Transient Charge-Trapping Effect.
    Yu, Chuanzhao ; Yuan, J. S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007), Heft 1, S. 59-67
    Online academicJournal
    Zugriff:
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