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    Perspective on active submillimeter electromagnetic wave imaging using CMOS integrated circuits technologies.
    O, Kenneth K. ; Choi, Wooyeol ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-04-21), Heft 15, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Switching mechanisms of CMOS-compatible ECRAM transistors—Electrolyte charging and ion plating.
    Tessler, Nir ; Kim, Nayeon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-08-21), Heft 7, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Plasma processing for advanced microelectronics beyond CMOS.
    Marchack, N. ; Buzi, L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-08-28), Heft 8, S. 1-21
    Online academicJournal
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    Positive bias temperature instability of HfO2-based gate stacks at reduced thermal budget for future CMOS technologies.
    Claes, D. ; Franco, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-09-14), Heft 10, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Kerr nonlinearity induced four-wave mixing of CMOS-compatible PECVD deposited ultra-Si-rich-nitride.
    Cong, Hui ; Feng, Qi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-07-07), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatible gallium arsenide metal-semiconductor-metal photodetectors (GaAs MSMPDs) on silicon using ultra-thin germanium buffer layer for visible photonic applications.
    Dushaq, Ghada ; Nayfeh, Ammar ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-21), Heft 19, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    Pulsed laser deposition of piezoelectric lead zirconate titanate thin films maintaining a post-CMOS compatible thermal budget.
    Schatz, A. ; Pantel, D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-09-21), Heft 11, S. 114502-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    CMOS compatible electrode materials selection in oxide-based memory devices.
    Zhuo, V. Y. Q. ; Li, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-14), Heft 2, S. 24504-1- (7S.)
    Online academicJournal
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    Bias temperature instability model using dynamic defect potential for predicting CMOS aging.
    Fang, Runchen ; Livingston, Ian ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-06-11), Heft 22, S. N.PAG- (9S.)
    Online academicJournal
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    Tunable band alignment and dielectric constant of solution route fabricated Al/HfO<subscript>2</subscript>/Si gate stack for CMOS applications.
    Kumar, Arvind ; Mondal, Sandip ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-02-28), Heft 8, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS).
    Wang, G. L. ; Moeen, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), Heft 12, S. 123511-123517
    Online academicJournal
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    Physical mechanism of progressive breakdown in gate oxides.
    Palumbo, Felix ; Lombardo, Salvatore ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-06-14), Heft 22, S. 224101-1- (7S.)
    Online academicJournal
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    Performance of current-in-plane pseudo-spin-valve devices on CMOS silicon-on-insulator underlayers.
    Katti, R. R. ; Zou, D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-05-15), Heft 10, S. 7298-7300
    Online academicJournal
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    Magneto-optical observation of the latchup effect in CMOS ICs induced by uniform and local irradiation.
    Egorov, Andrey N. ; Lebedev, Sergey V.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-05-15), Heft 10, S. 7006-7007
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    Thermally generated magnonic spin currents in a polycrystalline gadolinium iron garnet thin film with perpendicular magnetic anisotropy.
    Chanda, Amit ; Holzmann, Christian ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-03-28), Heft 12, S. 1-12
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    Improved crystallographic order of ScAlN/GaN heterostructures grown at low temperatures under metal rich surface conditions.
    Motoki, Keisuke ; Engel, Zachary ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-04-07), Heft 13, S. 1-13
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    A new nano-design of configurable logic module based on coplanar reversible adder and modified Fredkin gates using quantum technology.
    Wang, Junzhuang ; Tan, Dongping ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-02-07), Heft 5, S. 1-15
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    Probing the oxygen vacancy associated native defects in high-κ HfO<subscript>2</subscript> using deep level transient spectroscopy.
    Kumar, Arvind ; Mondal, Sandip ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-01-28), Heft 4, S. 1-7
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    Low-temperature solution-processed nanoparticle-doped nickel oxide thin-film transistor.
    Chen, Cihai ; Chen, Qizhen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-02-07), Heft 5, S. 1-8
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    Reduction of phosphorus diffusion in bulk germanium via argon/phosphorus co-implantation and RTA annealing.
    Goldstone, Alexander B. ; Dhar, Nibir K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-13
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