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    Study of the nucleation and growth of InP nanowires on silicon with gold-indium catalyst.
    Mavel, Amaury ; Chauvin, Nicolas ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 458 (2017-01-15), S. 96-102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical lift-off and direct wafer bonding of GaN/InGaN P–I–N structures grown on ZnO.
    Pantzas, K. ; Rogers, D.J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 435 (2016-02-01), S. 105-109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and optical investigations of AlGaN MQWs grown on a relaxed AlGaN buffer on AlN templates for emission at 280 nm.
    Li, X. ; Le Gac, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 432 (2015-12-15), S. 37-44
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    X-ray photoelectron spectroscopy and diffraction investigation of a metal–oxide-semiconductor heterostructure: Pt/Gd2O3/Si(111).
    Ferrah, D. ; El Kazzi, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 416 (2015-04-15), S. 118-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOVPE grown periodic AlN/BAlN heterostructure with high boron content.
    Li, X. ; Sundaram, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 119-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy.
    Madiomanana, K. ; Bahri, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 413 (2015-03-01), S. 17-24
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE
    Pantzas, K. ; El Gmili, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 57-62
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire
    Gautier, S. ; Moudakir, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 63-67
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Suppression of crack generation in AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE
    Moudakir, T. ; Gautier, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 12-15
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    InAs/InP nanowires grown by catalyst assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates
    Khmissi, H. ; Naji, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 344 (2012-04-01), Heft 1, S. 45-50
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Deep structural analysis of novel BGaN material layers grown by MOVPE
    Gautier, S. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 315 (2011-01-15), Heft 1, S. 288-291
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of arsenic species on the kinetics of GaAs nanowires growth by molecular beam epitaxy
    Sartel, C. ; Dheeraj, D.L. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-07-01), Heft 14, S. 2073-2077
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Complete HVPE experimental investigations: Cartography of SAG GaN towards quasi-substrates or nanostructures
    Chelda-Gourmala, O. ; Trassoudaine, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-06-01), Heft 12/13, S. 1899-1907
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    De-relaxation of plastically relaxed InAs/GaAs quantum dots during the growth of a GaAs encapsulation layer
    Saint-Girons, G. ; Sagnes, I. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-02-01), Heft 3, S. 536-540
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    GaAs nanowires formed by Au-assisted molecular beam epitaxy: Effect of growth temperature
    Harmand, J.C. ; Tchernycheva, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 301-302 (2007-04-01), S. 853-856
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Structural and photoluminescence studies of InAsN quantum dots grown on GaAs by MBE
    Sallet, V. ; Patriarche, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 290 (2006-04-15), Heft 1, S. 80-86
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films
    Woelk, Egbert ; Shenai-Khatkhate, Deodatta V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 684-687
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Functionalizing surfaces with arrays of clusters: role of the defects
    Mélinon, P. ; Hannour, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-15), Heft 1/2, S. 317-324
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effects of GaNAsSb intermediate barriers on GaInNAsSb quantum well grown by molecular beam epitaxy
    Li, L.H. ; Sallet, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 263 (2004-03-01), Heft 1-4, S. 58-62
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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