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    Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies.
    Breil, Nicolas ; Lavoie, Christian ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 137 (2015-04-02), S. 79-87
    academicJournal
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    Reliability challenges in CMOS technology: A manufacturing process perspective.
    Teng, Qiao ; Hu, Yongkang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 281 (2023-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Performance improvement of chip-level CMOS-integrated ReRAM cells through material optimization.
    Shahrabi, Elmira ; LaGrange, Thomas ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 214 (2019-06-01), S. 74-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stress analysis for a CMOS-MEMS microphone with various metallization and materials.
    Lu, Chun-Lin ; Yeh, Meng-Kao
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 213 (2019-05-15), S. 47-54
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance comparison of vertically stacked nanosheet CFET and standard CMOS without and with parasitic channels.
    Li, Jiawei ; Zhao, Mengqing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 279 (2023-07-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of a hammer-shaped CMOS/BEOL-embedded nanoelectromechanical (NEM) relay.
    Riverola, M. ; Uranga, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 192 (2018-05-15), S. 44-51
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved digital performance of hybrid CMOS inverter with Si p-MOSFET and InGaAs n-MOSFET in the nanometer regime.
    De, Suchismita ; Tewari, Suchismita ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 211 (2019-04-15), S. 18-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Digital image correlation of SEM images for surface deformation of CMOS IC.
    Chen, Terry Yuan-Fang ; Chen, Tzu-Ching ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 201 (2018-12-05), S. 16-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process.
    Lee, Minwoong ; Cho, Seongik ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 200 (2018-11-15), S. 45-50
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process.
    Fu, C.H. ; Lin, Y.H. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 147 (2015-11-01), S. 330-334
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Polycrystalline silicon gate originated CMOS device failure investigated by Scanning Spreading Resistance Microscopy.
    Doering, Stefan ; Wachowiak, Andre ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 142 (2015-07-01), S. 40-46
    academicJournal
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    CMOS–MEMS resonators: From devices to applications.
    Uranga, A. ; Verd, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 132 (2015-01-25), S. 58-73
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing.
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 255 (2022-02-15), S. N.PAG
    academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing.
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 255 (2022-02-10), S. N.PAG
    academicJournal
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    Post-processing and performance analysis of BEOL integrated MEMS pressure sensor capacitors in 8-metal 130 nm CMOS.
    Sundararajan, Ananiah Durai ; Rezaul Hasan, S.M.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 119 (2014-05-01), S. 89-94
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Monolithic z-axis CMOS MEMS accelerometer.
    Tseng, Sheng-Hsiang ; Wu, Po-Chang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 119 (2014-05-01), S. 178-182
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An integrated electroless nickel plating process for fabrication of CMOS-MEMS probe chip.
    Lee, Kuo-Yu ; Huang, Jung-Tang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 113 (2014), S. 147-151
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Integration of NEMS resonators in a 65nm CMOS technology.
    Muñoz-Gamarra, J.L. ; Alcaine, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 110 (2013-10-01), S. 246-249
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    3-D stacked CMOS inverters using Pt/HfO<subscript>2</subscript> on Si substrate for vertical integrated CMOS applications
    Oh, Soon-Young ; Ahn, Chang-Geun ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-05-01), Heft 5/6, S. 1206-1209
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High speed and low sensitive current-mode CMOS perceptron.
    Szczęsny, Szymon
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 165 (2016-11-01), S. 41-51
    academicJournal
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