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    A CMOS compatible thermoelectric device made of crystalline silicon membranes with nanopores.
    Bah, Thierno-Moussa ; Didenko, Stanislav ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-12-10), Heft 50, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS-compatible morphotropic phase boundary.
    Kashir, Alireza ; Hwang, Hyunsang
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-10-29), Heft 44, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Wafer-scale fabrication of isolated luminescent silicon quantum dots using standard CMOS technology.
    Jingjian, Zhou ; Pevere, Federico ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-12-11), Heft 50, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Conductive filament evolution dynamics revealed by cryogenic (1.5 K) multilevel switching of CMOS-compatible Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/TiO<subscript>2</subscript> resistive memories.
    Beilliard, Yann ; Paquette, François ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-10-30), Heft 44, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A scalable neural chip with synaptic electronics using CMOS integrated memristors.
    Cruz-Albrecht, Jose M ; Derosier, Timothy ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-09-27), Heft 38, S. 384011-384021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Integration of solid-state nanopores in a 0.5 μm CMOS foundry process.
    Uddin, A. ; Yemenicioglu, S. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-04-19), Heft 15, S. 1-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Resonators with integrated CMOS circuitry for mass sensing applications, fabricated by electron beam lithography.
    Ghatnekar-Nilsson, S. ; Forsén, E. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 16 (2005), Heft 1, S. 98-102
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A general approach for high yield fabrication of CMOS-compatible all-semiconducting carbon nanotube field effect transistors.
    Islam, Muhammad R. ; Kormondy, Kristy J. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-04-06), Heft 12, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Erratum: Conductive filament evolution dynamics revealed by cryogenic (1.5 K) multilevel switching of CMOS-compatible Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/TiO<subscript>2</subscript> resistive memories (2020 Nanotechnology 31 445205).
    Beilliard, Yann ; Paquette, François ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-12-04), Heft 49, S. 1-2
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Encapsulate-and-peel: fabricating carbon nanotube CMOS integrated circuits in a flexible ultra-thin plastic film.
    Gao, Pingqi ; Zhang, Qing
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-02-14), Heft 6, S. 65301-65307
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Self-catalyzed InAs nanowires grown on Si: the key role of kinetics on their morphology.
    Dhungana, Daya S ; Mallet, Nicolas ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-11-26), Heft 48, S. 1-9
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    CMOS-compatible Si metasurface at visible wavelengths prepared by low-temperature green laser annealing.
    Jeong Yub Lee ; Kim, Yongsung ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-01-25), Heft 4, S. 1-1
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS platform for atomic-scale device fabrication.
    Škereň, Tomáš ; Pascher, Nikola ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-10-26), Heft 43, S. 1-1
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The effect of the bottom electrode on ferroelectric tunnel junctions based on CMOS-compatible HfO2.
    Goh, Youngin ; Jeon, Sanghun
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-08-17), Heft 33, S. 1-1
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Arrays of suspended silicon nanowires defined by ion beam implantation: mechanical coupling and combination with CMOS technology.
    Llobet, J ; Rius, G ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-04-13), Heft 15, S. 1-1
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Titanium dioxide nanowire sensor array integration on CMOS platform using deterministic assembly.
    Oren Z Gall ; Zhong, Xiahua ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-06-30), Heft 26, S. 1-1
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    AC signal characterization for optimization of a CMOS single-electron pump.
    Murray, Roy ; Justin K Perron ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-02-09), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High aspect ratio sharp nanotip for nanocantilever integration at CMOS compatible temperature.
    Wang, P ; Michael, A ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-08-11), Heft 32, S. 1-1
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A reliable and controllable graphene doping method compatible with current CMOS technology and the demonstration of its device applications.
    Kim, Seonyeong ; Shin, Somyeong ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-04-28), Heft 17, S. 1-1
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A CMOS-compatible electronic synapse device based on Cu/SiO2/W programmable metallization cells.
    Chen, Wenhao ; Fang, Runchen ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-06-24), Heft 25, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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