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    Development of a Prototype CMOS 0.18 μm Low-Noise Amplifier Chip for the Receiving Path of the NB-IoT system.
    Kotlyarov, E. Yu. ; Putrya, M. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-15), Heft 7, S. 669-676
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Design of Integrated Voltage Multipliers Using Standard CMOS Technologies.
    Sinyukin, A. S. ; Konoplev, B. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 6, S. 527-534
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Circuit Implementation of Modular Adders in Custom CMOS VLSI and FPGA.
    Bibilo, P. N. ; Kirienko, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-15), Heft 7, S. 648-658
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Design and Evaluation of Low Power CMOS Based Schmitt Trigger Circuits.
    Maniteja, Nagella ; Sahithi, Kota ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 6, S. 556-564
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A High Voltage CMOS Voltage Level Converter for a Low Voltage Process.
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 155-163
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate.
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-08-01), Heft 4, S. 220-225
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 181-191
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Masking Noise Pulses When Collecting a Charge from the Tracks of Single Ionizing Particles in a Majority Element Based on CMOS NAND Logic.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-02-01), Heft 1, S. 36-42
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 394-403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), Heft 4, S. 253-263
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology.
    Boruzdina, A. B. ; Gerasimov, Yu. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), Heft 4, S. 268-272
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices.
    Sinyukin, A. S. ; Konoplev, B. G.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), Heft 3, S. 189-196
    Online academicJournal
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    Rational methodological approach to evaluation of dose resistance of CMOS microcircuits with respect to low intensity effects.
    Boychenko, D. ; Kalashnikov, O. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    An analysis of the temperature effect on the impulse electric strength of CMOS chips.
    Epifantsev, K. ; Skorobogatov, P. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 40-43
    Online academicJournal
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    CVC Simulation of Ultrathin Soi-Cmos Nanotransistors with a Fully Enclosed Gate.
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 387-393
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region.
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), Heft 6, S. 394-401
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate.
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 5, S. 324-331
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors.
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), Heft 4, S. 278-285
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests.
    Pechenkin, A. ; Savchenkov, D. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate.
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), Heft 3, S. 214-223
    Online academicJournal
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