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    Advanced CMOS devices: Challenges and implant solutions.
    Colombeau, Benjamin ; Guo, Baonian ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 211 (2014), Heft 1, S. 101-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of a MEMS-Based Oscillator Using 180nm CMOS Technology.
    Roy, Sukanta ; Ramiah, Harikrishnan ; et al.
    In: PLoS ONE, Jg. 11 (2016-07-08), Heft 7, S. 1-19
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of InGaAs MOSFETs with germanium-on-insulator CMOS
    Chin, Albert ; Chen, C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), Heft 4/5, S. 711-715
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultrafast radiographic imaging and tracking: An overview of instruments, methods, data, and applications.
    Wang, Zhehui ; Leong, Andrew F.T. ; et al.
    In: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A, Jg. 1057 (2023-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Product News and Industry News, March 2023.
    In: Microscopy Today, Jg. 31 (2023-03-01), Heft 2, S. 36-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Recent Progress and Perspectives of Field‐Effect Transistors Based on p‐Type Oxide Semiconductors.
    Kim, Taikyu ; Jeong, Jae Kyeong
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 16 (2022), Heft 1, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Industry Updates.
    In: Journal of Failure Analysis & Prevention, Jg. 23 (2023-04-01), Heft 2, S. 687-690
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Individual heterojunctions of 3 D germanium crystals on silicon CMOS for monolithically integrated X-ray detector (Phys. Status Solidi A 1∕2014).
    Kreiliger, Thomas ; Falub, Claudiu V. ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 211 (2014), Heft 1, S. n/a
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Metal chalcogenides for neuromorphic computing: emerging materials and mechanisms.
    Bauers, Sage R ; Tellekamp, M Brooks ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-09-10), Heft 37, S. 1-27
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Thermal Budget on the Electrical Characterization of Atomic Layer Deposited HfSiO/TiN Gate Stack MOSCAP Structure.
    Khan, Z. N. ; Ahmed, S. ; et al.
    In: PLoS ONE, Jg. 11 (2016-08-29), Heft 8, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Single-step fabricated disordered pyramidal nanostructures for large-scale broadband visible light absorber with high-temperature stability.
    Li, Defang ; Zhang, Jinying ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 601 (2022-11-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Special topic on ferroelectricity in hafnium oxide: Materials and devices.
    Mikolajick, Thomas ; Schroeder, Uwe ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-05-14), Heft 18, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Benjamin Breneman Snavely.
    Dylla, H. Frederick ; Lanzerotti, Louis J. ; et al.
    In: Physics Today, Jg. 76 (2023-10-01), Heft 10, S. 69-69
    academicJournal
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    Employing threshold-based behavior and network dynamics for the creation of memristive logic circuits and architectures.
    Vourkas, Ioannis ; Sirakoulis, Georgios Ch.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 12 (2015), Heft 1/2, S. 168-174
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Compound Semiconductors.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-02-01), Heft 3, S. 1-3
    academicJournal
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    The carbon new age
    Castro Neto, Antonio H.
    In: Materials Today, Jg. 13 (2010-03-01), Heft 3, S. 12-17
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Modeling of the Stark effect in strained Ge0.6Si0.4/Si/Ge0.6Si0.4 resonant tunneling diodes with graded GexSi1−x (0.3<x<0) spacer emitter and collector
    Sfina, N. ; Abdi-Ben Nasrallah, S. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), Heft 4/5, S. 737-740
    academicJournal
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    Impact of germanium surface passivation on the leakage current of shallow planar p–n junctions
    Satta, A. ; Nicholas, G. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), Heft 4/5, S. 716-720
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A deep-level transient spectroscopy study of Co- and Ni-germanided n-type germanium
    Opsomer, K. ; Simoen, E. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), Heft 4/5, S. 554-558
    academicJournal
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    Germanium-on-insulator (GeOI) substrates—A novel engineered substrate for future high performance devices
    Akatsu, Takeshi ; Deguet, Chrystel ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), Heft 4/5, S. 444-448
    academicJournal
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