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    A 4H-SiC CMOS Oscillator-Based Temperature Sensor Operating from 298 K up to 573 K.
    Rinaldi, Nicola ; Liguori, Rosalba ; et al.
    In: Sensors (14248220), Jg. 23 (2023-12-15), Heft 24, S. 9653-9676
    Online academicJournal
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    Research Platform: Decentralized Energy System for Sector Coupling.
    Öchsner, Richard ; Nuß, Andreas ; et al.
    In: Chemical Engineering & Technology, Jg. 42 (2019-09-01), Heft 9, S. 1886-1894
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    On crucible effects during the growth of cadmium zinc telluride in an electrodynamic gradient freeze furnace
    Gasperino, David ; Bliss, Mary ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-04-01), Heft 8, S. 2327-2335
    academicJournal
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    Benchmark of a lithography simulation tool for next generation applications
    Tollkühn, B. ; Uhle, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), Heft 4-9, S. 1142-1147
    academicJournal
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    Fraunhofer uses semiconductor process exhaust in fuel cell.
    Barrett, Steve
    In: Fuel Cells Bulletin, Jg. 2017 (2017-08-01), Heft 8, S. 13-13
    academicJournal
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    Anisotropic stress observation of 4H‐SiC trench metal‐oxide semiconductor field‐effect transistor test structures by scanning near‐field optical Raman microscope.
    Yoshikawa, Masanobu ; Murakami, Masataka ; et al.
    In: Journal of Raman Spectroscopy, 2024-05-25, S. 1-7
    Online academicJournal
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    An end-to-end machine learning approach with explanation for time series with varying lengths.
    Schneider, Manuel ; Greifzu, Norbert ; et al.
    In: Neural Computing & Applications, Jg. 36 (2024-05-01), Heft 13, S. 7491-7508
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    An analog to digital converter in a SiC CMOS technology for high-temperature applications.
    Mo, Jiarui ; Niu, Yunfan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-04-08), Heft 15, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Utilizing Island Growth in Superlattice Buffers for the Realization of Thick GaN‐on‐Si(111) PIN‐Structures for Power Electronics.
    Michler, Sondre ; Thapa, Sarad ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), 2024-03-16, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Defects distribution and evolution in selected-area helium ion implanted 4H–SiC.
    Song, Ying ; Xu, Zongwei ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 50 (2024-03-01), Heft 5, S. 7691-7701
    academicJournal
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    Correlating Optical Microspectroscopy with 4×4 Transfer Matrix Modeling for Characterizing Birefringent Van der Waals Materials.
    Schwarz, Julian ; Niebauer, Michael ; et al.
    In: Small Methods, Jg. 7 (2023-10-01), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Goethite Mineral Dissolution to Probe the Chemistry of Radiolytic Water in Liquid‐Phase Transmission Electron Microscopy.
    Couasnon, Thaïs ; Fritsch, Birk ; et al.
    In: Advanced Science, Jg. 10 (2023-09-05), Heft 25, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Kitap incelemesi: İnsan toplumlarının temelinde: Antropolojinin bize öğrettikleri.
    Aktürk, Emre
    In: Antropoloji, 2023-06-01, Heft 45, S. 119-126
    Online academicJournal
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    On the interpretation of confocal spectral depth profiling of color center and carrier concentration by photoluminescence and Raman of implanted 4H–SiC.
    Song, Ying ; Xu, Zongwei ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 49 (2023-05-05), Heft 9, S. 13392-13404
    academicJournal
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    Growth and characterization of thorium-doped calcium fluoride single crystals.
    Beeks, Kjeld ; Sikorsky, Tomas ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-03-23), Heft 1, S. 1-10
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth and characterization of thorium-doped calcium fluoride single crystals.
    Beeks, Kjeld ; Sikorsky, Tomas ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 13 (2023-03-08), Heft 1, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits.
    Besendörfer, S. ; Meissner, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 127 (2020-01-07), Heft 1, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Deeper insight into lifetime-engineering in 4H-SiC by ion implantation.
    Erlekampf, J. ; Kallinger, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-07-28), Heft 4, S. N.PAG- (8S.)
    Online academicJournal
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    The First Alkaline‐Earth Azidoaurate(III), Ba[Au(N<subscript>3</subscript>)<subscript>4</subscript>]<subscript>2</subscript> ⋅ 4 H<subscript>2</subscript>O.
    Subaşı, Yaprak ; Tekin, Elif Sena ; et al.
    In: Chemistry - A European Journal, Jg. 29 (2023-02-21), Heft 11, S. 1-6
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    Microstructure and Mechanical Properties of Hypereutectic Al-High Si Alloys up to 70 wt.% Si-Content Produced from Pre-Alloyed and Blended Powder via Laser Powder Bed Fusion.
    Risse, Jan Henning ; Trempa, Matthias ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 16 (2023-01-15), Heft 2, S. 657-669
    Online academicJournal
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