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    Quantum dot-cavity strong-coupling regime measured through coherent reflection spectroscopy in a very high-Q micropillar.
    Loo, Vivien ; Lanco, Loïc ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-12-13), Heft 24, S. 241110-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Selective area growth of high quality InP on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Leys, M. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-09-20), Heft 12, S. 121913-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Low-crosstalk bifurcation detectors for coupled flux qubits.
    De Groot, P. C. ; van Loo, A. F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-22), Heft 12, S. 123508-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    High quality Ge epitaxial layers in narrow channels on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-15), Heft 11, S. 111903-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Patterning conductive copper by nanotransfer printing.
    Felmet, Kimberly ; Loo, Yueh-Lin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-11), Heft 15, S. 3316-3318
    Online academicJournal
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    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer.
    Buca, D. ; Carius, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-27), Heft 13, S. 2499-2501
    Online academicJournal
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    Large area, high resolution, dry printing of conducting polymers for organic electronics.
    Blanchet, Graciela B. ; Loo, Yueh-Lin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-01-20), Heft 3, S. 463-465
    Online academicJournal
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    Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics.
    Loo, Yueh-Lin ; Willett, Robert L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-07-15), Heft 3, S. 562-564
    Online academicJournal
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    Impact of band to band tunneling in In0.53Ga0.47As tunnel diodes on the deep level transient spectra.
    Gupta, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-12-03), Heft 23, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si.
    Gupta, S. ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-05), Heft 19, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si.
    Porret, C. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-15), Heft 16, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Electrical properties of extended defects in strain relaxed GeSn.
    Gupta, Somya ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-09), Heft 2, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Effective passivation of silicon surfaces by ultrathin atomic-layer deposited niobium oxide.
    Macco, B. ; Bivour, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-11), Heft 24, S. N.PAG- (4S.)
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    Hydrogen passivation of poly-Si/SiOx contacts for Si solar cells using Al2O3 studied with deuterium.
    Schnabel, Manuel ; van de Loo, Bas W. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-05-14), Heft 20, S. N.PAG- (5S.)
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    Measurement of a magnonic crystal at millikelvin temperatures.
    Kosen, S. ; Morris, R. G. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018), Heft 1, S. 1-4
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    Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO2/Al2O3 stacks.
    van de Loo, B. W. H. ; Ingenito, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-06-26), Heft 26, S. 1-4
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    On the manifestation of phosphorus-vacancy complexes in epitaxial Si:P films.
    Dhayalan, Sathish Kumar ; Kujala, Jiri ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-02-22), Heft 8, S. 82106-1- (4S.)
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    Generating femtosecond X-ray pulses using an emittance-spoiling foil in free-electron lasers.
    Ding, Y. ; Behrens, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-11-09), Heft 19, S. 1-5
    Online academicJournal
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    An ultrashort pulse ultra-violet radiation undulator source driven by a laser plasma wakefield accelerator.
    Anania, M. P. ; Brunetti, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-06-30), Heft 26, S. 1-5
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    Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3 with Ge1-xSnx-and strained Ge-based channels.
    Chou, H. Y. ; Afanas'ev, V. V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-05-19), Heft 20, S. 1-5
    Online academicJournal
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