Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
1.048 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

1.048 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Radiation Monitor Extension for CMOS Imaging Instruments in Nanosatellites.
    Florczak, Josua ; Neubert, Tom ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1651-1658
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Probing Dark Current Random Telegraph Signal in a Small Pitch Vertically Pinned Photodiode CMOS Image Sensor After Proton Irradiation.
    Antonsanti, Aubin ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1506-1514
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors.
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 379-383
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications.
    Segmanovic, Filip ; Meinhardt, Gerald ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 2367-2374
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High-Voltage CMOS Active Pixel Sensor Chip With Counting Electronics for Beam Monitoring.
    Weber, Alena ; Ehrler, Felix ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1288-1298
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL.
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1861-1868
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Characterization of the Total Charge and Time Duration for Single-Event Transient Voltage Pulses in a 65-nm CMOS Technology.
    Li, Zheyi ; Berti, Laurent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1593-1601
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1241-1250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1256-1262
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation.
    Shvetsov-Shilovskiy, Ivan I. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1540-1546
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Wavelet Analysis of RTS Noise in CMOS Image Sensors Irradiated With High-Energy Photons.
    Hendrickson, Ben ; Widenhorn, Ralf ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1732-1737
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor.
    Meng, Xiao ; Stefanov, Konstantin D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1107-1113
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Transient Response in PPD CMOS Image Sensors Irradiated by Gamma Rays: Variation of Dose Rates and Integration Times.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 880-885
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 268-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Photodiode Implant Dose.
    Belloir, Jean-Marc ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1671-1681
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -