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    Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 1: etude expérimentale. (French)
    Tounsi, Adnen ; Scheid, Emmanuel ; et al.
    In: Canadian Journal of Chemical Engineering, Jg. 74 (1996-12-01), S. 941-949
    academicJournal
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    Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 2: analyse théorique et modélisation. (French)
    Tounsi, Adnen ; Scheid, Emmanuel ; et al.
    In: Canadian Journal of Chemical Engineering, Jg. 74 (1996-12-01), S. 950-959
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Influence des principaux parameètres opératoires sur le dépôt de silicium à partir de silane par CVD en lit fluidisé en vue de limiter les problèmes d'agglomération. (French)
    Rodriguez Ruvalcaba, J. Ramiro ; Caussat, Brigitte ; et al.
    In: Canadian Journal of Chemical Engineering, Jg. 78 (2000-10-01), Heft 5, S. 955-963
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dépôt chimique en phase vapeur et à basse pression de couches minces à base de silicium dans un réacteur à lampes halogène. (French)
    Semmache, B. ; Kallel, S. ; et al.
    In: Canadian Journal of Physics, Jg. 77 (1999-09-01), Heft 9, S. 737-743
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1: présentation et analyse des résultats expérimentaux. (French)
    Vergnes, Hugues ; Duverneuil, Patrick ; et al.
    In: Canadian Journal of Chemical Engineering, Jg. 78 (2000-08-01), Heft 4, S. 793-802
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Une nouvelle technologie d'appareils de dèpôt chimique en phase vapeur. Partie 2: modélisation du dépôt de silicium pur à partir de silane et de silicium dopé in situ au phosphore. (French)
    Vergnes, Huges ; Duverneuil, Patrick ; et al.
    In: Canadian Journal of Chemical Engineering, Jg. 78 (2000-08-01), Heft 4, S. 803-814
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Contrôle hydrodynamique en convection mixte de l'épaisseur de dépôts en phase gazeuse de semi-conducteurs sur des corps à symétrie de révolution. (French)
    Cherif, A. Ali ; Rakotomalala, M. ; et al.
    In: Canadian Journal of Chemical Engineering, Jg. 73 (1995-12-01), S. 908-917
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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