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    Depletion-Mode β -Ga 2 O 3 MOSFETs Grown by Nonvacuum, Cost-Effective Mist-CVD Method on Fe-Doped GaN Substrates.
    Xu, Yu ; Zhang, Chunfu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1196-1199
    Online academicJournal
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    Preparation and Application of Sol-Gel Polishing Pad for Polishing CVD Single Crystal Diamond at High Speed.
    Lu, Jing ; Deng, Ao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 35 (2022-05-01), Heft 2, S. 318-323
    Online academicJournal
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    Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS2 Channel Directly Grown on SiOx/Si Substrates Using Area-Selective CVD Technology.
    Chung, Yun-Yan ; Shieh, Jia-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5381-5386
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Influence and Suppression of Harmful Effects Due to By-Product in CVD Reactor for 4H-SiC Epitaxy.
    Daigo, Yoshiaki ; Watanabe, Toru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-08-01), Heft 3, S. 340-345
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Fluorine Effects Originating From the CVD-W Process on Charge-Trap Flash Memory Cells.
    Moon, Jungmin ; Lee, Tae Yoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 378-382
    Online academicJournal
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    Pulsed-DC Discharge for Plasma CVD of Carbon Thin Films.
    Mamun, Md Abdullah Al ; Furuta, Hiroshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 47 (2019), Heft 1, S. 22-31
    Online academicJournal
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    All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs With CMOS Compatible Metal Edge Contacts.
    Pandey, Himadri ; Shaygan, Mehrdad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4129-4134
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors.
    Aman, S. G. Mehadi ; Koretomo, Daichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3257-3263
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Electromigration Characteristics and Morphological Evolution of Cu Interconnects on CVD Co and Ru Liners for 10-nm Class VLSI Technology.
    Jang, Kyung-Tae ; Lee, So-Yeon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), Heft 7, S. 1050-1053
    Online academicJournal
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    Replacement of Waveguides by a Resonant Cavity in a Microwave CVD Reactor.
    Isoldi, Mauricio ; Ozono, Edson Moriyoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 49 (2021-09-15), Heft 9, Part 2, S. 2718-2721
    Online academicJournal
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    Effect of Antenna-Substrate Distance on Quality of a-Si:H During ICP CVD Using a Flat Spiral Antenna.
    Karar, Partha ; Kumar, Gourav ; et al.
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 49 (2021-02-01), Heft 2, S. 624-631
    Online academicJournal
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    Vertically Stacked Strained 3-GeSn-Nanosheet pGAAFETs on Si Using GeSn/Ge CVD Epitaxial Growth and the Optimum Selective Channel Release Process.
    Huang, Yu-Shiang ; Lu, Fang-Liang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1274-1277
    Online academicJournal
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    Process Optimization and Modeling of the Silicon Growth in Trichlorosilane-Hydrogen Gas Mixture in a Planetary CVD Reactor.
    Ramadan, Zaher ; Im, Ik-Tae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-02-01), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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    CVD Technology for 2-D Materials.
    Shen, Pin-Chun ; Lin, Yuxuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4040-4052
    Online academicJournal
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    Modeling of Epitaxial Silicon Growth From the DCS-H2-HCl System in a Large Scale CVD Reactor.
    Ramadan, Zaher ; Abdelmotalib, Hamada Mohamed ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-08-01), Heft 3, S. 363-370
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    Low-Temperature ICP-CVD SiNx as Gate Dielectric for GaN-Based MIS-HEMTs.
    Dutta, Gourab ; DasGupta, Nandita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4693-4701
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    Metal–Insulator–Graphene Diode Mixer Based on CVD Graphene-on-Glass.
    Saeed, Mohamed ; Hamed, Ahmed ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), Heft 7, S. 1104-1107
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Chemical Mechanical Polishing of Single-Crystalline Diamond Epitaxial Layers for Electronics Applications.
    Hardy, Aaron ; Muehle, Matthias ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 37 (2024-05-01), Heft 2, S. 190-198
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    A Pure Frequency Tripler Based on CVD Graphene.
    Cheng, Chuantong ; Huang, Beiju ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), Heft 6, S. 785-788
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    Improved Hysteresis and Reliability of MoS2 Transistors With High-Quality CVD Growth and Al2O3 Encapsulation.
    Illarionov, Yury Yu. ; Smithe, Kirby K. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1763-1766
    Online academicJournal
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