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    Design methodology for general enhancement of a single-stage self-compensated folded-cascode operational transconductance amplifiers in 65 nm CMOS process.
    AL-Qaysi, Hayder Khaleel ; Saleh, Adham Hadi ; et al.
    In: International Journal of Electrical & Computer Engineering (2088-8708), Jg. 12 (2022-10-01), Heft 5, S. 4712-4721
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    A Wide Spectral Response Single Photon Avalanche Diode for Backside-Illumination in 55-nm CMOS Process.
    Liu, Yang ; Liu, Maliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5041-5047
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design of a 5.3-GHz 31.3-dBm Fully Integrated CMOS Power Amplifier Using Folded Splitting and Combining Architecture.
    Tsai, Jeng-Han
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 27 (2019-07-01), Heft 7, S. 1527-1536
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Floating-Body Transistor-Based Power Amplifier for Sub-6-GHz 5G Applications in SOI CMOS 130-nm Process.
    Guo, Ting ; Lu, Zhongzhiguang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-10-01), Heft 10, S. 4088-4092
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A 128 Gb/s, 11.2 mW Single-Ended PAM4 Linear TIA With 2.7 μ A rms Input Noise in 22 nm FinFET CMOS.
    Daneshgar, Saeid ; Li, Hao ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-05-01), Heft 5, S. 1397-1408
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    On-Chip Millimeter-Wave DGS Based Bandstop Filter in 0.18- μ m CMOS Process.
    Thapa, Samundra K. ; Pokharel, Ramesh K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2732-2736
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Three-Axis Magnetic Field Microsensor Fabricated Utilizing a CMOS Process.
    Tseng, Jian-Zhi ; Shih, Po-Jen ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 7 (2017-12-01), Heft 12, S. 1289-1298
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Fast CMOS Analog Multiplier and Divider With Continuous-Time Inverter-Based Flash Digitizer.
    Oshima, Takashi ; Nakamura, Yohei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 934-938
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A mmWave Folded Substrate Integrated Waveguide in a 130-nm CMOS Process.
    Shahidzadeh Mahani, Mohammad ; Roberts, Gordon W.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 65 (2017-08-01), Heft 8, S. 2775-2788
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Novel RF Power Detector Based on Positive and Negative Thermistors Using Standard CMOS Technology.
    Li, Jian-Hua ; Liao, Xiaoping
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1849-1852
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 16-bit 16-MS/s SAR ADC With On-Chip Calibration in 55-nm CMOS.
    Shen, Junhua ; Shikata, Akira ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-04-01), Heft 4, S. 1149-1160
    Online academicJournal
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    A CMOS-Process-Compatible Low-Voltage Junction-FET With Adjustable Pinch-Off Voltage.
    Nidhi, Karuna ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-07-01), Heft 7, S. 2812-2819
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Back-Illuminated 4 μ m P⁺N-Well Single Photon Avalanche Diode Pixel Array With 0.36Hz/ μ m² Dark Count Rate at 2.5 V Excess Bias Voltage.
    Sun, Wenbo ; Wang, Yuxin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-09-01), Heft 9, S. 1519-1522
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An EMI-Resistant Common-Mode Cancelation Differential Input Stage in UMC 180 nm CMOS.
    Richelli, Anna ; Kennedy, Simon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 59 (2017-12-01), Heft 6, S. 2049-2051
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Dynamic-Biased Resistor-Based CMOS Temperature Sensor With a Duty-Cycle-Modulated Output.
    Tang, Zhong ; Fang, Yun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 1504-1508
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 4-GS/s 11.3-mW 7-bit Time-Based ADC With Folding Voltage-to-Time Converter and Pipelined TDC in 65-nm CMOS.
    Yi, Il-Min ; Miura, Naoki ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-02-01), Heft 2, S. 465-475
    Online academicJournal
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    65nm CMOS 기술에서의 cascode기반 LNA 잡음지수 분석. (Korean)
    Jung, Youngho ; Koo, Minsuk
    In: Journal of the Korea Institute of Information & Communication Engineering, Jg. 24 (2020-05-01), Heft 5, S. 678-681
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    All-Digital Cost-Efficient CMOS Digital-to-Time Converter Using Binary-Weighted Pulse Expansion.
    Chen, Chun-Chi ; Hwang, Chorng-Sii ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 28 (2020-04-01), Heft 4, S. 1094-1098
    Online academicJournal
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    An Untrimmed BJT-Based Temperature Sensor With Dynamic Current-Gain Compensation in 55-nm CMOS Process.
    Tang, Zhong ; Fang, Yun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 1613-1617
    Online academicJournal
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    Polarization Independent Band Gaps in CMOS Back-End-of-Line for Monolithic High-Q MEMS Resonator Confinement.
    Hudeczek, Richard ; Baumgartner, Peter
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4578-4581
    Online academicJournal
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