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    Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications.
    Basu, Rikmantra ; Kaur, Jaspinder ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-10-01), Heft 10, S. 6335-6346
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    SCANNING E-BEAM LONGITUDINALLY PUMPED RT OPERABLE LASER BASED ON MOVPE-GROWN GaInP/AlGaInP MQW STRUCTURE.
    Bondarev, V. Yu. ; Kozlovsky, V. I. ; et al.
    In: International Journal of Nanoscience, Jg. 3 (2004-02-01), Heft 1/2, S. 193-201
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    <f>1.55-μm</f> InGaAs/InGaAlAs MQW vertical-cavity surface-emitting lasers with InGaAlAs/InP distributed Bragg reflectors
    Xia, Jinan ; Hoan O, Beom ; et al.
    In: Optics & Laser Technology, Jg. 37 (2005-03-01), Heft 2, S. 125-130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    -40°C<T<95° C mode-hop-free operation of uncooled AlGaInAs-MQW discrete-mode laser diode with emission at λ=1.3 µm.
    Phelan, Richard ; Kelly, B. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 45 (2009), Heft 1, S. 43-45
    academicJournal
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    III–V selective regrowth on SOI for telecom lasers in silicon photonics.
    Li, Jie ; Xue, Ying ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-04-07), Heft 13, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    High performance uncooled C-band, 10 Gbit/s InGaAlAs MQW electroabsorption modulator integrated to semiconductor amplifier in laser-integrated modules.
    Frateschi, N. C. ; Zhang, J. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 40 (2004-01-22), Heft 2, S. 140-141
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    1.3 μm gain coupled DFB laser with InGaAlAs MQW grown on absorptive InGaAsP corrugation.
    Feng, W. ; Pan, J. Q. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-08-01), Heft 8, S. 859-862
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Numerical analysis of an optoelectronic integrated device composed of coupled periodic MQW phototransistor and strained-QW laser diode.
    Darabi, E. ; Ahmadi, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-03-01), Heft 3, S. 473-479
    academicJournal
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    Characterization of the Temperature Sensitivity of Gain and Recombination Mechanisms in 1.3-μm AlGaInAs MQW Lasers.
    Houle, T. J. ; Yong, J. C. L. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-02-01), Heft 2, S. 132-139
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    1.3-μm InAsP modulation-doped MQW lasers.
    Shimizu, Hitoshi ; Kumada, Kouji ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 36 (2000-06-01), Heft 6, S. 729-735
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Novel design scheme for high-speed MQW lasers with enhanced differential gain and reduced carrier transport effect.
    Matsui, Yasuhiro ; Murai, Hitoshi ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 34 (1998-12-01), Heft 12, S. 2340-2349
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Enhanced modulation bandwidth for strain-compensated InGaAlAs-InGaAsP MQW lasers.
    Matsui, Yasuhiro ; Murai, Hitoshi ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 34 (1998-10-01), Heft 10, S. 1970-1978
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Long wavelength quantum well lasers: synopsis of the RACE “AQUA” project: MOVPE/MBE/GSMBE for InGaAsP/InP and InGaAlAs/InP high speed MQW DFB lasers.
    Speier, Peter
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-12-01), S. 993-999
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    1.5-μm strained-layer MQW-DFB lasers with high relaxation-oscillation frequency and low-chirp characteristics.
    Otsuka, Nobuyuki ; Kito, Masahiro ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 32 (1996-07-01), S. 1230-1236
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Static and dynamic simulation for ridge-waveguide MQW DFB lasers.
    Hong, J. ; Huang, W. P. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 31 (1995), S. 49-59
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Improved operation characteristics of long-wavelength lasers using strained MQW active layers.
    Kamijoh, T. ; Horikawa, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 30 (1994-02-01), S. 524-532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High device yield and performance of InGaAsP MQW DFB lasers with absorptive grating.
    Park, S. S. ; Park, S. W. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 43 (2007-09-27), Heft 20, S. 1095-1096
    academicJournal
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    Role of p-doping profile and regrowth on the static characteristics of 1.3-μm MQW InGaASP-InP lasers: experiment and modeling.
    Belenky, Gregory L. ; Reynolds, C. L. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 35 (1999-10-01), Heft 10, S. 1515-1520
    Online academicJournal
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    Volltext
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    AlGaInAs Multi-Quantum Well Lasers on Silicon-on-Insulator Photonic Integrated Circuits Based on InP-Seed-Bonding and Epitaxial Regrowth.
    Besancon, Claire ; Néel, Delphine ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 12 (2022), Heft 1, S. 263-279
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Absorption loss coefficient of the active layer for 1.48-μm bulk and MQW lasers.
    Kakimoto, Syouichi ; Watanabe, Hitoshi
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 34 (1998), S. 110-112
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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