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    AlGaN/GaN MOS-HFETs based on InGaN/GaN MQW structures with Ta2O5 dielectric.
    Lee, K.H. ; Chang, P.C. ; et al.
    In: European Physical Journal - Applied Physics, Jg. 57 (2012-03-01), Heft 3, S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    A comprehensive study on piezo-phototronic effect for increasing efficiency of solar cells: A review.
    Verma, Ritesh ; Chauhan, Ankush ; et al.
    In: Optics & Laser Technology, Jg. 149 (2022-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Enhanced Radiative Recombination Rate by Local Potential Fluctuation in InGaN/AlGaN Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
    Islam, Abu Bashar Mohammad Hamidul ; Shim, Dong-Soo ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 9 (2019-03-01), Heft 5, S. 871-882
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Design strategies for mitigating the influence of polarization effects on GaN-based multiple quantum well light-emitting diodes.
    Lu, H. M. ; Chen, G. X.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-05-01), Heft 9, S. 93102-1- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Optoelectronic properties of ZnSe/ZnMgSSe multiple quantum wells.
    Chang, C. W. ; Yang, H. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-04-01), Heft 7, S. 3725-3729
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Efficient charge separation at multiple quantum well perovskite/PCBM interface.
    Wei, Yingqiang ; Li, Meijin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-23), Heft 4, S. N.PAG- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Transferrable monolithic III-nitride photonic circuit for multifunctional optoelectronics.
    Shi, Zheng ; Gao, Xumin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-12-11), Heft 24, S. 241104-1- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Simultaneous dual-functioning InGaN/GaN multiple-quantum-well diode for transferrable optoelectronics.
    Shi, Zheng ; Yuan, Jialei ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 72 (2017-10-01), S. 20-24
    academicJournal
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    Influences of the p-GaN Growth Temperature on the Optoelectronic Performances of GaN-Based Blue Light-Emitting Diodes.
    Shim, Jong-In ; Shin, Dong-Soo
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 52 (2016-04-01), Heft 4, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Microbeam high-resolution x-ray diffraction in strained InGaAlAs-based multiple quantum well laser structures grown selectively on masked InP substrates.
    Sirenko, A. A. ; Kazimirov, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-03-15), Heft 6, S. 063512-63512
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Reduced longitudinal optical phonon-exciton interaction in InGaN/GaN nanorod structures.
    Renwick, P. ; Tang, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-04-30), Heft 18, S. 182105-182108
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Strain-Balanced GezSn1-z-SixGeySn1-x-y Multiple-Quantum-Well Lasers.
    Chang, Guo-En ; Chang, Shu-Wei ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-12-01), Heft 11/12, S. 1813-1820
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Saturable absorber relies on carbon nanotubes.
    Wallace, John
    In: Laser Focus World, Jg. 39 (2003-06-01), Heft 6, S. 51-52
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    Non-equilibrium quantum well populations and active region inhomogeneity in polar and nonpolar III-nitride light emitters.
    Kisin, Mikhail V. ; Chuang, Chih-Li ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-05-15), Heft 10, S. 103113-103113
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    GaN/AlN short-period superlattices for intersubband optoelectronics: A systematic study of their epitaxial growth, design, and performance.
    Kandaswamy, P. K. ; Guillot, F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-11-01), Heft 9, S. 093501-93501
    Online academicJournal
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    Optical properties of AlGaN/GaN multiple quantum well structure by using a high-temperature AlN buffer on sapphire substrate.
    Bai, J. ; Wang, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-01-15), Heft 2, S. 023513-23513
    Online academicJournal
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    Photocurrent spectroscopy in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells under a high electric field perpendicular to the heterointerface.
    Yamanaka, K. ; Fukunaga, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-03-31), Heft 13, S. 840-842
    Online academicJournal
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    Reliability assessment of multiwell distributed feedback laser source for direct detection links at 2.6 Gbit/s.
    Thornton, K. E. B. ; Goodwin, A. R. ; et al.
    In: IEE Proceedings -- Optoelectronics, Jg. 141 (1994-04-01), S. 133-135
    academicJournal
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    Electronic structure and optoelectronic properties of strained InAsSb/GaSb multiple quantum wells.
    Koprucki, Thomas ; Baro, Michael ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-31), Heft 18, S. 181911-181911
    Online academicJournal
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    Four-channel wavelength demultiplexing with 25 nm spacing in variable refractive-index arrayed waveguides.
    Kawakita, Y. ; Shimotaya, S. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 40 (2004-07-08), Heft 14, S. 900-901
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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