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    Diamond films obtained on silicone substrates by the CVD method and properties of structures based on them.
    Saidov, A. S. ; Kutlimratov, A. ; et al.
    In: Physical Sciences & Technology, Jg. 10 (2023), Heft 1, S. 35-41
    academicJournal
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    Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology.
    Klimovskaya, A. I. ; Kalashnyk, Yu. Yu. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 21 (2018-09-01), Heft 3, S. 282-287
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Multiscale atomistic modelling of CVD: From gas-phase reactions to lattice defects.
    Raciti, Domenica ; Calogero, Gaetano ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 167 (2023-11-15), S. N.PAG
    academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    OBSERVATIONS ON CVD-GROWN SYNTHETIC DIAMONDS: A REVIEW.
    Eaton-Magaña, Sally ; Shigley, James E.
    In: Gems & Gemology, Jg. 52 (2016-09-01), Heft 3, S. 222-245
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method.
    Bakr, Nabeel A.
    In: Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 4 (2012-09-01), Heft 3, S. 3006-1- (7S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS2 Channel Directly Grown on SiOx/Si Substrates Using Area-Selective CVD Technology.
    Chung, Yun-Yan ; Shieh, Jia-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5381-5386
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Luminescence study of Si/SiC nano-particles embedded in SiOxCy matrix deposited using O-Cat-CVD.
    Matsumoto, Y. ; Asahi, S. ; et al.
    In: Physica E, Jg. 111 (2019-07-01), S. 179-184
    academicJournal
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    Material Characterization of GeSn Alloys Grown by a Commercial CVD System for Optoelectronic Device Applications.
    Mosleh, Aboozar ; Ghetmiri, Seyed ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-04-01), Heft 4, S. 938-946
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Influence and Suppression of Harmful Effects Due to By-Product in CVD Reactor for 4H-SiC Epitaxy.
    Daigo, Yoshiaki ; Watanabe, Toru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-08-01), Heft 3, S. 340-345
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    2D MoS 2 Encapsulated Silicon Nanopillar Array with High-Performance Light Trapping Obtained by Direct CVD Process.
    Bai, Minyu ; Wang, Zhuoman ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 11 (2021-03-01), Heft 3, S. 267-267
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Metal-Free Catalytic Preparation of Graphene Films on a Silicon Surface Using CO as a Carbon Source in Chemical Vapor Deposition.
    Liu, Lintao ; Li, Wei ; et al.
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1052-1061
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Fluorine Effects Originating From the CVD-W Process on Charge-Trap Flash Memory Cells.
    Moon, Jungmin ; Lee, Tae Yoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 378-382
    Online academicJournal
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    Replacement of Waveguides by a Resonant Cavity in a Microwave CVD Reactor.
    Isoldi, Mauricio ; Ozono, Edson Moriyoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 49 (2021-09-15), Heft 9, Part 2, S. 2718-2721
    Online academicJournal
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    Model on transport phenomena and control of rod growth uniformity in siemens CVD reactor.
    Li, Xue-Gang ; Xiao, Wen-De
    In: Computers & Chemical Engineering, Jg. 117 (2018-09-02), S. 351-358
    academicJournal
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    Vertically Stacked Strained 3-GeSn-Nanosheet pGAAFETs on Si Using GeSn/Ge CVD Epitaxial Growth and the Optimum Selective Channel Release Process.
    Huang, Yu-Shiang ; Lu, Fang-Liang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1274-1277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Protective CVD Mullite Coatings on Single-Crystal Silicon Substrates.
    Xu, Jiapeng ; Erickson, Daniel ; et al.
    In: JOM: The Journal of The Minerals, Metals & Materials Society (TMS), Jg. 65 (2013-04-01), Heft 4, S. 567-573
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Process Optimization and Modeling of the Silicon Growth in Trichlorosilane-Hydrogen Gas Mixture in a Planetary CVD Reactor.
    Ramadan, Zaher ; Im, Ik-Tae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-02-01), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling of Epitaxial Silicon Growth From the DCS-H2-HCl System in a Large Scale CVD Reactor.
    Ramadan, Zaher ; Abdelmotalib, Hamada Mohamed ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-08-01), Heft 3, S. 363-370
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Enhanced crystallinity of silicon films deposited by CVD on liquid layers (CVDOLL process)
    Graef, M. W. M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 48 (1977-09-02), S. 3937-3940
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Electronic properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) heterostructures formed by ECR Ar plasma CVD without substrate heating.
    Ueno, Naofumi ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 55-62
    academicJournal
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