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    Combined (Si) and (Ge) FinFET-CMOS Inverter Characterization Based on Driver to Load Transistor Ratio.
    Hashim, Yasir ; Hussein, Safwan Mawlood
    In: Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 14 (2022-09-01), Heft 5, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs.
    Zhang, Qingzhu ; Zhang, Yongkui ; et al.
    In: National Science Review, Jg. 11 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-18
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    A Review of Self-Heating Effects in Advanced CMOS Technologies.
    Prasad, C.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4546-4555
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Reducing Dynamism in DRAM With Bistable MEMS Switch as Sleep Transistor.
    Arya, Dhairya Singh ; Kumar, Sushil ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 1045-1049
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Energy Reduction of D-Flipflop Using 130nm CMOS Technology.
    DEVI, KOTHA GAYATHRI ; TEJASREE, KOTTAPALLI ; et al.
    In: Journal of VLSI Circuits & Systems (JVCS), Jg. 3 (2021-07-01), Heft 2, S. 34-41
    academicJournal
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    Accurate Transistor Modeling by Three-Parameter Pad Model for Millimeter-Wave CMOS Circuit Design.
    Kawai, Seitaro ; Sato, Shinji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 64 (2016-06-01), Heft 6, S. 1736-1744
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low‐power high‐performance CMOS 5‐2 compressor with 58 transistors.
    Balobas, D. ; Konofaos, N.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 54 (2018-03-01), Heft 6, S. 278-280
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Analytical model for CMOS cross‐coupled LC‐tank oscillator.
    Daliri, Mojtaba ; Maymandi‐Nejad, Mohammad
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 8 (2014), Heft 1, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology.
    Chu, Rongming ; Cao, Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-03-01), Heft 3, S. 269-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Research directions in beyond CMOS computing
    Bourianoff, George I. ; Gargini, Paolo A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-11-01), Heft 11/12, S. 1426-1431
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Stochastic Gradient Descent Inspired Training Technique for a CMOS/Nano Memristive Trainable Threshold Gate Array.
    Manem, H. ; Rajendran, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 59 (2012-05-01), Heft 5, S. 1051-1060
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High‐order realisation of MOSFET‐only band‐pass filters for RF applications.
    Yesil, Abdullah ; Minaei, Shahram
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 12 (2018-07-01), Heft 4, S. 467-477
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Self-Aligned E-Mode GaN p -Channel FinFET With ION > 100 mA/mm and ION/IOFF > 10⁷.
    Chowdhury, Nadim ; Xie, Qingyun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-03-01), Heft 3, S. 358-361
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Device and circuit-level evaluation of a zero-cost transistor architecture developed via process optimization.
    Devoge, Paul ; Aziza, Hassen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 201 (2023-03-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Hot-carrier reliability and performance study of transistors with variable gate-to-drain/source overlap.
    Devoge, P. ; Aziza, H. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 138 (2022-11-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Two‐way oxide rupture scheme for PUF implementation in low‐cost IoT systems.
    Lee, C. ; Lee, J. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 56 (2020-09-30), Heft 20, S. 1047-1048
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design Requirements for Steeply Switching Logic Devices.
    Kam, Hei ; Liu, Tsu-Jae King ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-02-01), Heft 2, S. 326-334
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    LaSiO x - and Al 2 O 3 -Inserted Low-Temperature Gate-Stacks for Improved BTI Reliability in 3-D Sequential Integration.
    Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 915-921
    Online academicJournal
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    New multi-flux-quantum logic family.
    Kaphmenko, V.K. ; Wikborg, E.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 7 (1997-06-01), Heft 2, S. 2288-2291
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Design and measurement of class EF2 power oscillator.
    Madureira, H. ; Deltimple, N. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 51 (2015-05-01), Heft 10, S. 744-745
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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