Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
727 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

727 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A Thrifty Liquid-Phase Exfoliation (LPE) of MoSe2 and WSe2 Nanosheets as Channel Materials for FET Application.
    Sharma, Rohit ; Dawar, Anit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-04-01), Heft 4, S. 2819-2830
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Temperature-dependent electron Hall mobility in LPE-grown InPBi/InP epilayers.
    Sharma, Akant Sagar ; Malathi, N. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-02-15), Heft 5, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Developments and Process Improvements Leading to High-Quality and Large-Area HgCdTe LPE Detectors.
    Vilela, Mauro F. ; Hogan, Jack ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7046-7053
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in scanning LPE method.
    Tsybulenko, V. V. ; Shutov, S. V. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 23 (2020-07-01), Heft 3, S. 294-301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    LPE Growth of Single Crystalline Film Scintillators Based on Ce3+ Doped Tb3-xGdxAl5-yGayO12 Mixed Garnets.
    Gorbenko, Vitalii ; Zorenko, Tetiana ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 7 (2017-09-01), Heft 9, S. 262-276
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High‐Quality GaN Crystal Growth Using Flux‐Film‐Coated LPE with Na Flux.
    Song, Yelim ; Kawamura, Fumio ; et al.
    In: Crystal Research & Technology, Jg. 55 (2020-08-01), Heft 8, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Processing of LPE-Grown HgCdTe for MWIR Devices Designed for High Operating Temperatures.
    Schirmacher, W. ; Wollrab, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-08-01), Heft 8, S. 2778-2782
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Isothermal growth kinetics of CdxHg1-xTe LPE layers.
    Moskvin, P. P. ; Khodakovsky, V. V.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 10 (2007-04-01), Heft 2, S. 29-33
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    The Growth and Magneto-optical Properties of Large Size Single-crystal Thick TmBiIG Films from Lead-free Flux by LPE Technology.
    Mei, Bing ; Zhang, Huai-Wu ; et al.
    In: PIERS Proceedings, 2014-08-25, S. 2035-2040
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of Lattice Mismatch on HgCdTe LPE Film Surface Morphology.
    Sun, Quanzhi ; Wei, Yanfeng ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-09-01), Heft 9, S. 4674-4679
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    LPE: Locality-Based Dead Prediction in Exclusive TLB for Large Coverage.
    Yan, Jing ; Tan, Yujuan ; et al.
    In: Journal of Circuits, Systems & Computers, Jg. 30 (2021-12-15), Heft 16, S. 1-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd--Hg--Te system.
    Moskvin, P. P. ; Rashkovetsky, L. V. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 10 (2007-07-01), Heft 3, S. 70-74
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials.
    Sun, Quanzhi ; Yang, Jianrong ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-08-01), Heft 8, S. 2773-2778
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improved responsivity and detectivity of LPE HgCdTe short-wavelength infrared photodetector by tuning the composition gradient.
    Yang, Dan ; Lin, Jiamu ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 205 (2023-07-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Pinning of 180° Bloch walls at etched nuclear tracks in LPE-grown iron garnet films.
    Krumme, J. P.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 48 (1977-12-01), S. 5191-5196
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Preparation and properties of CdSnP2/InP heterojunctions grown by LPE from Sn solution.
    Shay, J. L.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 45 (1974-03-01), S. 1302-1310
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth of GaAs submicron layers from supercooled solution.
    Toyoda, N.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 51 (1980), S. 392-396
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Thermal degradation of InP and its control in LPE growth.
    Lum, W. Y. ; Clawson, A. R.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 50 (1979-08-01), S. 5296-5301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Injection-level dependence, frequency response, and thermal quenching of the 1.39-ev luminescence in Sn-doped LPE GaAs.
    Norris, C. B.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 48 (1977-11-01), S. 4706-4712
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    LPE growth and properties of GaP-(AlGa)As-GaAs heterostructures as a function of the GaP substrate roughness.
    Oirschot, T. G. J. van
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 46 (1975-05-01), S. 1893-1900
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -