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855 Treffer

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    Study of Proton-Induced Defects in 40-nm CMOS SPADs
    Jouni, Ali ; Malherbe, Victor ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 1680-1686
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fully Integrated Constant Fraction Discriminators (CFDs): Two Implementations in Submicrometer CMOS Technologies
    Garbolino, Sara ; Martoiu, Sorin ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 2218-2225
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Compact Front-End Circuit for a Monolithic Sensor in a 65-nm CMOS Imaging Technology
    Piro, F. ; Rinella, G. Aglieri ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 2191-2200
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Capacitive Deep Trench Isolation-Based CCD-on-CMOS Image Sensor Sensitivity to Total Ionizing Dose
    Salih Alj, Antoine ; Touron, Pierre ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 2018-2026
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Calibration of the Deposited Energy in CMOS Imagers for Particle Detection on Nanosatellites
    Florczak, Josua ; Neubert, Tom ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 1966-1972
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Study of Proton-Induced Defects in 40-nm CMOS SPADs
    Jouni, Ali ; Malherbe, Victor ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 1680-1686
    Online serialPeriodical
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    Design and Characterization of a Picosecond Timing ASIC in 55-nm CMOS
    Lu, Bo ; Huo, Jia ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 1230-1239
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 14-Gb/s VCSEL Driver in 65-nm CMOS With a Power-Efficient Driving Structure for Particle Physics Experiments
    Chen, Qiangjun ; Sun, Quan ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 1001-1006
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits
    Autran, Jean-Luc ; Munteanu, Daniela
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 782-791
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits
    Autran, Jean-Luc ; Munteanu, Daniela
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 782-791
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Proton-Induced Displacement Damages in 2-D and Stacked CMOS SPADs: Study of Dark Count Rate Degradation
    Jouni, Ali ; Sicre, Mathieu ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 4, S. 515-522
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The Propagation of Extended SET Tails in RF Amplifiers Using 45-nm CMOS on PDSOI
    Teng, Jeffrey W. ; Ringel, Brett L. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2022), Heft 8, S. 1829-1837
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 6, S. 1299-1309
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