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    Realization of GaN PolarMOS using selective-area regrowth by MBE and its breakdown mechanisms
    Li, Wenshen ; Nomoto, Kazuki ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft C, S. SCCD15
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Two dimensional photonic crystal nanocavities with InAs/GaAs quantum dot active regions embedded by MBE regrowth
    Vo, Quoc Huy ; Ota, Yasutomo ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 8, S. 08PD03
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    High-quality InN films on GaN using graded InGaN buffers by MBE
    Islam, S. M. ; Protasenko, Vladimir ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 55 (2016), Heft 5, S. 05FD12
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
    Sasaki, Takuo ; Ishikawa, Fumitaro ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 55 (2016), Heft 5, S. 05FB05
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    MBE-grown InGaAsP solar cells with 1.0 eV bandgap on InP(001) substrates for application to multijunction solar cells
    Oshima, Ryuji ; Makita, Kikuo ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 54 (2015), Heft 8, S. 08KE10
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Surface sulfurization on MBE-grown Cu(In~1~-~x,Ga~x)Se~2 thin films and devices
    Khatri, Ishwor ; Matsuyama, Isamu ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 54 (2015), Heft 8, S. 08KC10
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Plasma assisted-MBE of GaN and AlN on graphene buffer layers
    Borisenko, D. P. ; Gusev, A. S. ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft C, S. SC1046
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Metal-covered van der Waals epitaxy of gallium nitride films on graphitic substrates by ECR-MBE
    Ooe, Ukyo ; Mouri, Shinichiro ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft C, S. SC1053
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Investigation of growth parameters for ScAlN-barrier HEMT structures by plasma-assisted MBE
    Frei, Kathrin ; Trejo-Hernández, Raúl ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft C, S. SC1045
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Detailed analysis and performance limiting mechanism of Si delta-doped GaAs tunnel diode grown by MBE
    Kang, Seokjin ; Ju, Gun Wu ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 12, S. 120306-120306
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Demonstration of zero bias responsivity in MBE grown β-Ga~2O~3 lateral deep-UV photodetector
    Pratiyush, Anamika Singh ; Krishnamoorthy, Sriram ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 6, S. 060313-60313
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth and characterization of MBE-grown (Bi~1~—~xSb~x)~2Se~3 topological insulator
    Liu, Yuhung ; Chong, Cheongwei ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 56 (2017), Heft 7, S. 070311-70311
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
    Wu, Yuanyuan ; Ji, Lian ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 55 (2016), Heft 2, S. 022301-22301
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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