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    Structural characterization of ELO-GaN film on mask-stripe patterned GaAs (001) substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Suwannaharn, Nattamon ; Sanorpim, Sakuntam ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 593 (2022)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN : International symposium on growth of nitrides (ISGN-1)
    Malinauskas, T. ; Aleksiejunas, R. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 300 (2007), Heft NO 1, S. 223-227
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization : International conference on metal organic vapor phase epitaxy
    Zhou, H. ; Chua, S. J. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 298 (2007), S. 511-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A novel method to grow high quality In~1~-~xGa~xAs ELO and bridge layers with high indium compositions : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Balakrishnan, K. ; Iida, S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 2, S. 1525-1530
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microstructures of two-step facet-controlled ELO-GaN grown by MOVPE method-effect of mask geometry : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Horibuchi, K. ; Kuwano, N. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 2, S. 1070-1074
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Carrier-gas dependence of ELO GaN grown by hydride VPE : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Miyake, H. ; Bohyama, S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 2, S. 1055-1059
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Electron microscopy analyses of microstructures in ELO-GaN : Crystal growth; ICCG-13 / ICVGE-11
    Kuwano, N. ; Horibuchi, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 237-239 (2002), Heft PT 2, S. 1047-1054
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High quality AlGaN grown on ELO AlN/sapphire templates
    Zeimer, U. ; Kueller, V. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 377 (2013), S. 32-36
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN
    Malinauskas, T. ; Aleksiejunas, R. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 300 (2007), Heft 1, S. 223-227
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization
    Zhou, H. ; Chua, S. J. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 298 (2007), S. 511-514
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Dislocation-free large area InP ELO layers by liquid phase epitaxy
    Kochiya, T. ; Oyama, Y. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 281 (2005), Heft 2-4, S. 263-274
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A novel method to grow high quality In1-xGaxAs ELO and bridge layers with high indium compositions
    Balakrishnan, K. ; Iida, S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 237-239 (2002), S. 1525-1530
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Microstructures of two-step facet-controlled ELO-GaN grown by MOVPE method-effect of mask geometry
    Horibuchi, K. ; Kuwano, N. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 237-239 (2002), S. 1070-1074
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Carrier-gas dependence of ELO GaN grown by hydride VPE
    Miyake, H. ; Bohyama, S. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 237-239 (2002), S. 1055-1059
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electron microscopy analyses of microstructures in ELO-GaN
    Kuwano, N. ; Horibuchi, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 237-239 (2002), S. 1047-1054
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    AlGaInN high-power lasers grown on an ELO-GaN layer
    Takeya, M. ; Yanashima, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 221 (2000), Heft 1-4, S. 646-651
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Defect identification in homoepitaxial- and ELO-grown GaN layers using bound-exciton Zeeman spectroscopies
    Kurai, S. ; Yamada, Y. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 210 (2000), Heft 1-3, S. 216-219
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Study of the epitaxial-lateral-overgrowth (ELO) process for GaN on sapphire
    Yu, Z. ; Johnson, M. A. L. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 195 (1998), Heft E 1-4, S. 333-339
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Sub-micron fine structure of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) selective area growth (SAG) and buried structure by epitaxial lateral overgrowth (ELO)
    Matsushima, H. ; Yamaguchi, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 189-190 (1998), Heft E 1-4, S. 78-82
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Study of the epitaxial-lateral-overgrowth (ELO) process for GaN on sapphire : Metalorganic vapour phase epitaxy
    Yu, Z. ; Johnson, M. A. L. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 195, Heft 1/4, S. 333-339
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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