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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 5, S. 324-331
    Online serialPeriodical
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 1, S. 30-36
    Online serialPeriodical
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    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2020), Heft 6, S. 394-401
    Online serialPeriodical
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2020), Heft 6, S. 381-393
    Online serialPeriodical
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 7, S. 477-484
    Online serialPeriodical
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    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Boruzdina, A. B. ; Gerasimov, Yu. M. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 4, S. 268-272
    Online serialPeriodical
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    Mechanisms of Initiation of Unstable Latchup Effects in CMOS ICs
    Chumakov, A. I. ; Bobrovsky, D. V. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 4, S. 250-254
    Online serialPeriodical
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, D. I. ; Cheremisinova, L. D.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 3, S. 187-196
    Online serialPeriodical
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    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 4, S. 259-267
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    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Bibilo, P. N. ; Avdeev, N. A. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 1, S. 65-81
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    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Benediktov, A. S. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 3, S. 197-200
    Online serialPeriodical
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