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    Design for Failure Analysis in a 24 GHz Low-Noise Amplifier for Short Range Radar Applications Created in Silicon CMOS Technology : International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Scholz, P. ; Vehring, S. ; et al.
    In: Proceedings, Jg. 43 (2017), S. 411-415
    Konferenz
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    Scanning Surface Photovoltage Microscopy for Stress Analysis in Nanoscale CMOS Devices : International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Dahanayaka, D. ; Kaszuba, P. ; et al.
    In: Proceedings, Jg. 43 (2017), S. 88-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Demonstration of the Effects of Laser Pulse Duration on SEU and LADA in CMOS Devices : ISTFA 2016: conference proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Goh, S. H. ; Yeoh, B. L. ; et al.
    In: Proceedings / International Symposium for Testing and Failure Analysis, Jg. 42 (2016), S. 547-554
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Identification of Wet Chemical Deprocessing Induced Artifacts—A Common Problem Affecting All MOS and CMOS Technologies : ISTFA 2016: conference proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Mendaros, R. G. ; Marquez, C. R. B. ; et al.
    In: Proceedings / International Symposium for Testing and Failure Analysis, Jg. 42 (2016), S. 197-203
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Capturing Defects in Flip-Chip CMOS Devices Using Backside EBAC Technique and SEM Microscopy : ISTFA 2016: conference proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Li, Y. ; Aguada, J. ; et al.
    In: Proceedings / International Symposium for Testing and Failure Analysis, Jg. 42 (2016), S. 118-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Complex Waveform Analysis for Advanced CMOS ICs : ISTFA 2016: conference proceedings from the 42nd International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Abuayob, E. ; Nisenboim, E. ; et al.
    In: Proceedings / International Symposium for Testing and Failure Analysis, Jg. 42 (2016), S. 68-75
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of an Anomalous CMOS Transistor Exhibiting Drain to Source Leakage—Its Model and Cause : conference proceedings from the 40th International Symposium for Testing and Failure Analysis
    Tsang, Yuk L. ; VanVianen, Alex ; et al.
    In: Proceedings / International Symposium for Testing and Failure Analysis, Jg. 40 (2014), S. 205-209
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    3D STEM Tomography Based Failure Analysis of 45 nm CMOS Devices : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2008
    Lorut, F. ; Delille, D.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2008, S. 499-504
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dopant Analysis on Advanced CMOS Technologies : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2008
    Siegelin, F. ; Dubotzky, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2008, S. 505-509
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability for Pure CMOS One-Time Programmable Memory Using Gate-Oxide Anti-Fuse (eFuse) : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2008
    Wakai, N.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2008, S. 349-353
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Backside Deprocessing of CMOS SOI Devices for Physical Defect and Failure Analysis : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2003
    Prejean, S. ; Shannon, J.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2003, S. 99-104
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Time-Resolved Optical Measurements from 0.13mum CMOS Technology Microprocessor Using a Superconducting Single-Photon Detector : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2003
    Stellari, F. ; Song, P. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2003, S. 40-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Localization Techniques on a 0.15mum CMOS Device: Charge Pump Failure Analysis : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Pan, H. ; Gibson, T.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 771-776
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Picosecond Imaging Circuit Analysis of Leakage Currents in CMOS Circuits : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Polonsky, S. ; Weger, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 387-390
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    CMOS Backside Deprocessing With TMAH / IPA as a Sample Preparation Procedure for Failure Analysis : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Prejean, S. ; Bruce, V. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 317-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Failure Analysis of Tungsten Contact Failure in a 0.13 mum CMOS Process : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Bagchi, S. ; Subramanian, S. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 169-172
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization of CMOS MEMS Technology Scatterings : International symposium for testing and failure analysis
    Latorre, L. ; Beroulle, V. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 373-380
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Successful Failure Analysis Using Front and Backside Fault Localization Techniques on a Deep Sub-micron CMOS Device : International symposium for testing and failure analysis
    Yamada, Y. ; Komoda, H.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 305-312
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS Front-End Investigation Over Large Areas by Deprocessing from the Back Side : International symposium for testing and failure analysis
    Zachariasse, F.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 237-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Failure Analysis of Plasma-Induced Submicron CMOS IC Yield Loss by Backside Photoemission Microscopy : International symposium for testing and failure analysis
    Wu, Z. M. ; Oh, C. K. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 109-114
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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