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    Group III-Sb Metamorphic Buffer on Si for p-Channel all-III-V CMOS: Electrical Properties, Growth and Surface Defects : Materials for beyond the roadmap devices in logic, power and memory (Symposium)
    Sasaki, Shun ; Madisetti, Shailesh ; et al.
    In: Materials Research Society symposia proceedings, Jg. 1790 (2015), S. 13-18
    Konferenz
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    CMOS Circuits on Silicon Carbide for High Temperature Operation : Silicon Carbide - Materials, Processing and Devices
    Clark, D. ; Thompson, R. ; et al.
    In: Materials Research Society symposia proceedings, Jg. 1693 (2014), S. 119-130
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design and Characterization of 64 MegaPixel Fiber Optic Coupled CMOS Detector for Transmission Electron Microscopy : Microscopy and microanalysis; Microscopy and microanalysis 2008: Microscopy Society of America, 66th annual meeting ; Microbeam Analysis Society, 42nd annual meeting ; International Metallographic Society, 41st annual meeting
    Tietz, H.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 804CD
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Physical and Electrical Characterization of the Interface Between Atomic-Layer-Deposited Al~2O~3 on GaAs Substrates for CMOS Applications : Microscopy and microanalysis; Microscopy and microanalysis 2008: Microscopy Society of America, 66th annual meeting ; Microbeam Analysis Society, 42nd annual meeting ; International Metallographic Society, 41st annual meeting
    Garcia-Gutierrez, D.I. ; Kaushik, V. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 446CD
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Quantitative Strain Measurement in Sub-45 nm CMOS Transistors by Convergent Beam Electron Diffraction (CBED) at Low Temperature and Nano Beam Diffraction (NBD) : Microscopy and microanalysis; Microscopy and microanalysis 2008: Microscopy Society of America, 66th annual meeting ; Microbeam Analysis Society, 42nd annual meeting ; International Metallographic Society, 41st annual meeting
    Clement, L. ; Delille, D.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 386CD
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Local Strain Measurement by Geometrical Phase Analysis in the Transmission Electron Microscope Applied to Strain-Engineered CMOS Devices : Microscopy and microanalysis; Microscopy and microanalysis 2008: Microscopy Society of America, 66th annual meeting ; Microbeam Analysis Society, 42nd annual meeting ; International Metallographic Society, 41st annual meeting
    Chung, J. ; Lian, G. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 388CD
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Challenging Analysis for the Gate Stack and Strained Channel of the Advanced CMOS : Microscopy and microanalysis; Microscopy and microanalysis 2008: Microscopy Society of America, 66th annual meeting ; Microbeam Analysis Society, 42nd annual meeting ; International Metallographic Society, 41st annual meeting
    Lian, G. ; Vartuli, C. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 384CD
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Design and Characterization of 64 MegaPixel Fiber Optic Coupled CMOS Detector for Transmission Electron Microscopy
    Tietz, H.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 804CD
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Physical and Electrical Characterization of the Interface Between Atomic-Layer-Deposited Al~2O~3 on GaAs Substrates for CMOS Applications
    Garcia-Gutierrez, D.I. ; Kaushik, V. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 446CD
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Local Strain Measurement by Geometrical Phase Analysis in the Transmission Electron Microscope Applied to Strain-Engineered CMOS Devices
    Chung, J. ; Lian, G. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 388CD
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Challenging Analysis for the Gate Stack and Strained Channel of the Advanced CMOS
    Lian, G. ; Vartuli, C. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 384CD
    Online serialPeriodical
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    Quantitative Strain Measurement in Sub-45 nm CMOS Transistors by Convergent Beam Electron Diffraction (CBED) at Low Temperature and Nano Beam Diffraction (NBD)
    Clement, L. ; Delille, D.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 386CD
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