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27 Treffer

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    Carrier properties of B atomic-layer-doped Si films grown by ECR Ar plasma-enhanced CVD without substrate heating
    Sakuraba, Masao ; Sugawara, Katsutoshi ; et al.
    In: Science and technology of advanced materials, Jg. 18 (2017), Heft 1, S. 294-306
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Impacts of surface C/Si ratio on in-wafer uniformity and defect density of 4H-SiC homo-epitaxial films grown by high-speed wafer rotation vertical CVD
    Daigo, Yoshiaki ; Ishii, Shigeaki ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft Supplement B, S. SBBK06
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Effect of growth pressure on graphene direct growth on r-plane and c-plane sapphires by low-pressure CVD
    Ueda, Yuki ; Yamanda, Jumpei ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft A, S. SAAE04
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Direct growth of nanocrystalline graphitic carbon films on BaF~2 by alcohol CVD : Recent advances in molecular electronics and bioelectronics
    Tan, Yan ; Nakamura, Atsushi ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 55 (2016), Heft 3, S. 03DD08
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of remote O~2-plasma-enhanced CVD SiO~2/GaN(0001) structure using photoemission measurements
    Truyen, Nguyen Xuan ; Ohta, Akio ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 1, S. 01AD02
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Columnar growth of crystalline silicon films on aluminium-coated glass by inductively coupled plasma CVD at room temperature
    Jin-Xiao, W. ; Yan-Li, Q. ; et al.
    In: CHINESE PHYSICS B, Jg. 18 (2009), Heft 2, S. 773-777
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A CVD diamond film detector for pulsed proton detection
    Lan, W. ; Xiao-Ping, O. ; et al.
    In: CHINESE PHYSICS B, Jg. 17 (2008), Heft 10, S. 3644-3648
    serialPeriodical
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    Preparation of a CVD thin film by an atmospheric pressure low temperature surface discharge plasma torch
    Kuwabara, A. ; Kuroda, S. i. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 15 (2006), Heft 3, S. 328-331
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Influence of the power on the processes controlling the formation of ECR-CVD carbon nitride films from CH~4/Ar/N~2 plasmas
    Camero, M. ; Gordillo-Vazquez, F. J. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 13 (2004), Heft 1, S. 121-126
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Modelling of a microwave flowing oxygen discharge: application to remote plasma enhanced CVD of silica films
    Tristant, P. ; Gousset, G. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 11 (2002), Heft 3, S. 241-247
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Scanning tunneling microscopy/spectroscopy on MoS~2 embedded nanowire formed in CVD-grown Mo~1~−~xW~xS~2 alloy
    Mogi, Hiroyuki ; Kobayashi, Yu ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 56 (2017), Heft 8, S. 08LB06
    serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    CVD growth of monolayer MoS~2: Role of growth zone configuration and precursors ratio
    Özden, Ayberk ; Ay, Feridun ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 56 (2017), Heft 6, S. 06GG05
    serialPeriodical
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    Low-temperature formation of crystalline Si:H/Ge:H heterostructures by plasma-enhanced CVD in combination with Ni-nanodots seeding nucleation
    Lu, Yimin ; Makihara, Katsunori ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 56 (2017), Heft 6, S. 06GG07
    serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Incorporation of yttrium to yttrium iron garnet thin films fabricated by mist CVD
    Liu, Li ; Suwa, Yuta ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 56 (2017), Heft 4, S. 04CJ02
    serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dominant SiH~x radicals in electron cyclotron resonance plasma CVD : International Workshop on Plasma Sources and Surface Interactions in Materials Processing
    Zhang, M. ; Nakayama, Y.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 5 (1996), Heft 2, S. 260-264
    Online serialPeriodical
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    Fabrication of diamond films at low temperature by pulse-modulated magneto-active microwave plasma CVD : International Workshop on Plasma Sources and Surface Interactions in Materials Processing
    Hatta, A. ; Suzuki, H. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 5 (1996), Heft 2, S. 235-240
    Online serialPeriodical
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    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Adhesion enhancement and amine reduction using film redeposited at the interface of a stack of plasma-enhanced CVD dielectrics for Cu/low-k interconnects
    Miyajima, Hideshi ; Watanabe, Kei ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft 2, S. 020908-20908
    serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Challenges of fabrication of a large-area-uniform molybdenum disulfide layered thin film at low growth temperature by atmospheric-pressure solution-based mist CVD
    Sato, Shota ; Nitta, Noriko ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 11, S. 110306-110306
    serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Crystalline quality distributions of the type IIa diamond substrate and the CVD diamond layer processed by chemical mechanical polishing using a SiO~2 wheel
    Tatsumi, Natsuo ; Maruoka, Kenji ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 10, S. 105503-105503
    serialPeriodical
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    Turbostratic stacked CVD graphene for high-performance devices
    Uemura, Kohei ; Ikuta, Takashi ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 57 (2018), Heft 3, S. 030311-30311
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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