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    The Integration of the Ferromagnetic Inductors into the Standard CMOS Chip : Heterogeneous integration challenges of MEMS, sensor and CMOS LSI
    Nizhnik, O. ; Vinluan, O.M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1427 (2012), S. 62-67
    Konferenz
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    Diamond-Like Carbon Thin Films with Extremely High Compressive Stress (>8∼12GPa) for Advanced CMOS Strain Engineering : Heterogeneous integration challenges of MEMS, sensor and CMOS LSI
    Ma, X. ; Yin, H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1427 (2012), S. 80-85
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MEMS-CMOS Integrated Tactile Sensor with Digital Signal Processing for Robot Application : Heterogeneous integration challenges of MEMS, sensor and CMOS LSI
    Makihata, M. ; Muroyama, M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1427 (2012), S. 98-105
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Claeys, C. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 567-580
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Compact CMOS 3-D Magnetic Field Sensor : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Wang, G. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 543-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Mobility Channels for Ultimate CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Sadana, D. ; Koester, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 343-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Cho, H. ; Kapur, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 403-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    State-of-the-Art Characterization for 65 nm CMOS Processes and Beyond : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hopstaken, M. ; Juhel, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 319-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 233-246
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, B. ; Song, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 263-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Stress Characterization of Polycrystalline Silicon for Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chen, Y. ; Mercer, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 225-232
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 2.4 GS/s, Single-Channel, 31.3 dB SNDR at Nyquist, Pipeline ADC in 65 nm CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Sundstrom, T. ; Svensson, C. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1575-1584
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A TX VCO for WCDMA/EDGE in 90 nm RF CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Andreani, P. ; Kozmin, K. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1618-1626
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 7 mW 20 MHz BW Time-Encoding Oversampling Converter Implemented in a 0.08 mm Formula Not Shown 65 nm CMOS Circuit : Solid state circuits ESSCIRC
    Prefasi, E. ; Paton, S. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1562-1574
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Flip-Chip-Packaged 25.3 dBm Class-D Outphasing Power Amplifier in 32 nm CMOS for WLAN Application : Solid state circuits ESSCIRC
    Xu, H. ; Palaskas, Y. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1596-1605
    Online Konferenz
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    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 5 Mb/s UWB-IR Transceiver Front-End for Wireless Sensor Networks in 0.13 Formula Not Shown CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Solda, S. ; Caruso, M. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1636-1647
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Monolithic Capacitive DC-DC Converter With Single Boundary–Multiphase Control and Voltage Domain Stacking in 90 nm CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Van Breussegem, T. M. ; Steyaert, M. S.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1715-1727
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 65-nm CMOS Temperature-Compensated Mobility-Based Frequency Reference for Wireless Sensor Networks : Solid state circuits ESSCIRC
    Sebastiano, F. ; Breems, L. J. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1544-1552
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Fully-Integrated, Short-Range, Low Data Rate FM-UWB Transmitter in 90 nm CMOS : Solid state circuits ESSCIRC
    Saputra, N. ; Long, J. R.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1627-1635
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 1.8 Formula Not Shown W 60 nV Formula Not Shown Hz Capacitively-Coupled Chopper Instrumentation Amplifier in 65 nm CMOS for Wireless Sensor Nodes : Solid state circuits ESSCIRC
    Fan, Q. ; Sebastiano, F. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1534-1543
    Online Konferenz
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