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    Improved foot-and-mouth disease vaccine, O TWN-R, protects pigs against SEA topotype virus occurred in South Korea
    Choi, Joo-Hyung ; Ko, Mi-Kyeong ; et al.
    In: Veterinary microbiology, Jg. 236 (2019)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Improved foot-and-mouth disease vaccine, O TWN-R, protects pigs against SEA topotype virus occurred in South Korea
    Choi, Joo-Hyung ; Ko, Mi-Kyeong ; et al.
    In: Veterinary microbiology, Jg. 236 (2019)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Cytoembryological and morphological characterization of a polyembryonic mutant Brassica napus twn - 119
    Liu, Y. q. ; Zhang, J. h. ; et al.
    In: JOURNAL- HUBEI UNIVERSITY NATURAL SCIENCE EDITION, Jg. 28 (2006), Heft 2, S. 187-191
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Set WTO rules right first, says TWN forum at UNCTAD X
    Oh, C.
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 2000, Heft 116, S. 17-19
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Ajalon Jamika, director. L'Esprit Pret-a-Partager. 2009. Institute for Foreign Cultural Relations, Germany/Senegal. French, German, Wolof with English subtitles. 28 minutes. Third World Newsreel (TWN). $225.00
    Orlando, V.K.
    In: AFRICAN STUDIES REVIEW -LOS ANGELES-, Jg. 57 (2014), Heft 2, S. 227-228
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record in JSTOR (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    TWN seminar discusses current WTO issues
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 2000, Heft 123/124, S. 25-26
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Third World Network Africa (TWN) Objectives
    In: REVIEW OF AFRICAN POLITICAL ECONOMY, Jg. 35 (2008), Heft 115, S. 147-147
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record in JSTOR (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    UN accused of industry bias on biotech - TWN
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 1995, Heft E 58, S. 4-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    NGO controversy on Women's Conference: TWN visit clears the air
    Zuniaga, M. H.
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 1995, Heft E 58, S. 2-2
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Europe rejects patents on life - TWN/Seedling
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 1995, Heft E 57, S. 10-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    On the derivation of the TWN's from the Kirchhoff's laws
    Wehrhahn, E.
    In: IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS, 1993, Heft 4, S. 2553-2553
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    TWN's statement on the failure of Cancun
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 2003, Heft 157/158, S. 13-13
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Weather Network Tackles Stormy Worldwide Market: Pelmorex's TWN expands
    Careless, J.
    In: BROADCAST TECHNOLOGY, Jg. 22 (1996), Heft 1, S. 28-28
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An Introduction to `Three China' Thesis: A Framework of China, Hong Kong and Taiwan
    Twn, J. y.
    In: JOURNAL- TOKYO KEIZAI UNIVERSITY, 2003, Heft 233, S. 45-58
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    FTAs: Some recommendations and guidelines for developing countries
    TWN
    In: THIRD WORLD RESURGENCE, 2005, Heft 182/183, S. 49-51
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Globalization and The WTO Doha Agenda: Impact on Development : WTO public forum; how can the WTO help harness globalisation?
    Third World Network (TWN)
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization of nitridated layers and their effect on the growth and quality of GaN : III-V nitrides
    Uchida, K. ; Watanabe, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 135-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Dependence of the HPVE GaN epilayer on GaN buffer layer for GaN direct growth on (001) GaAs substrate : III-V nitrides
    Tsuchiya, H. ; Takeuchi, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 333-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Gallium incorporation kinetics during gas-source molecular beam epitaxy growth of GaN : III-V nitrides
    Evans, K. R. ; Lei, T. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 339-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Stacking mismatch boundaries in GaN: implications for substrate selection : III-V nitrides
    Smith, D. J. ; Tsen, S.-C. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 349-352
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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