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    Mapping the Spatial Dependence of Charge-Collection Efficiency in Semiconductor Devices Using Pulsed-Laser Testing.
    Hales, Joel M. ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 617-625
    Online academicJournal
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    Effects of High-Dose X-Ray Irradiation on the Hole Lifetime in Vacuum-Deposited Stabilized a-Se Photoconductive Films: Implications to the Quality Control of a-Se Used in X-Ray Detectors.
    Simonson, B. ; Johanson, R. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 2445-2453
    Online academicJournal
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    Volltext
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    X-\gamma Ray Spectroscopy With Semi-Insulating 4H-Silicon Carbide.
    Bertuccio, Giuseppe ; Puglisi, Donatella ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-04-15), Heft 2, S. 1436-1441
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Deterioration of Electrical and Spectroscopic Properties of a Detector Grade Silicon Photodiode Exposed to Short Range Proton, Lithium and Oxygen Ion Irradiation.
    Pastuović, Željko ; Jakšić, Milko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-03), Heft 4, S. 2457-2464
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    On Monolithic Silicon Array Detectors for Small-Field Photon Beam Dosimetry.
    Biasi, Giordano ; Davis, Jeremy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 2640-2649
    Online academicJournal
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    Simulation of the Charge Collection in a Nonuniform Electric Field for MAPbI 3 Semiconductor Nuclear Detector With Schottky Contact.
    Meng, Hua ; Qin, Juan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 1990-1998
    Online academicJournal
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    The Effect of Radiation Damage on the Charge Collection Efficiency of Silicon Avalanche Photodiodes.
    Zedric, Robert M. ; Marianno, Craig M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 152-159
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Systematic Analysis of Reliability of Large-Area 4H-SiC Charged Particle Detector Under Harsh He Ion Irradiation.
    Gao, Run-Long ; Liu, Lin-Yue ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 1169-1174
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Impact of Auger Recombination on Charge Collection of a 6H-SiC Diode by Heavy Ions.
    Onada, S. ; Ohshima, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-02), Heft 6, S. 2706-2713
    Online academicJournal
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    Decrease of Charge Collection Due to Displacement Damage by Gamma Rays in a 6H-SiC Diode.
    Onoda, Shinobu ; Ohshima, Takeshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 1953-1960
    Online academicJournal
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    Detector Recovery/Improvement Via Elevated-Temperature-Annealing (DRIVE)—A New Approach for Si Detector Applications in High Radiation Environment in SLHC.
    Li, Zheng ; Verbitskaya, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-06-03), Heft 3, S. 1551-1556
    Online academicJournal
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    An Overview on Performance and Possible Applications of X-Gamma-Ray Semiconductor Detectors Irradiated at Various Impinging Angles.
    Perillo, Eugenio ; Cola, Adriano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-06-03), Heft 3, S. 1216-1223
    Online academicJournal
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    Performance-Improved Vertical Ni/SiO₂/4H-SiC Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors for High-Resolution Radiation Detection.
    Karadavut, Omerfaruk ; Chaudhuri, Sandeep K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 1965-1971
    Online academicJournal
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    Accurate Determination of the Ionization Energy in Pixelated TlBr Correcting for Charge Collection Efficiency.
    O'Neal, Sean ; He, Zhong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 950-954
    Online academicJournal
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    Enhanced Energy Resolution of GaN-on-Sapphire p-i-n Alpha-Particle Detector With Isoelectronic Al-Doped i-GaN Layer.
    Geng, Xinlei ; Xia, Xiaochuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 2301-2308
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    Detectors of Gamma Rays and Alpha Particles Based on Ta-Doped InP Converted to the Semi-Insulating State by Annealing.
    Zdansky, Karel ; Gorodynskyy, Vladyslav ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-10-02), Heft 5, S. 2997-3001
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    Assessment of the Radiation Tolerance of CdZnTe and HgI<subscript>2</subscript> to Solar Proton Events.
    Owens, Alan ; Brandenburg, Sytze ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-06-02), Heft 3, S. 771-776
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    Radiation Detection Properties of 4H-SiC Schottky Diodes Irradiated Up to 10<superscript>16</superscript> n/cm<superscript>2</superscript> by 1 MeV Neutrons.
    Nava, F. ; Castaldini, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-10-02), Heft 5, S. 2977-2982
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    A New Technique for the Investigation of Deep Levels on Irradiated Silicon Based on the Lazarus Effect.
    Mendes, Pedro Rato ; Abreu, Maria C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-12-01), Heft 6, S. 3069-3075
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    Minimum Ionizing and Alpha Particles Detectors Based on Epitaxial Semiconductor Silicon Carbide.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-02-02), Heft 1, S. 237-244
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