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    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2770-2777
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors.
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 379-383
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dynamic Capacitance Variations Due to Barrier Modulation in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensor.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5202-5208
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Efficient 60-GHz Power Amplifier With Adaptive AM-AM and AM-PM Distortions Compensation in 65-nm CMOS Process.
    Jung, Kyung Pil ; Son, Hyuk Su ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-07-01), Heft 7, S. 3045-3055
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A CMOS Highly Linear Doherty Power Amplifier With Multigated Transistors.
    Jung, Doohwan ; Zhao, Huan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 67 (2019-05-01), Heft 5, S. 1883-1891
    Online academicJournal
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    Compact Modeling of Charge Transfer in Pinned Photodiodes for CMOS Image Sensors.
    Capoccia, Raffaele ; Boukhayma, Assim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 160-168
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Dynamic Capacitance Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2892-2898
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling.
    Dorow, Chelsey ; O'Brien, Kevin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6592-6598
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 5-GHz WLAN RF CMOS Power Amplifier With a Parallel-Cascoded Configuration and an Active Feedback Linearizer.
    Kang, Seunghoon ; Baek, Donghyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 65 (2017-09-01), Heft 9, S. 3230-3244
    Online academicJournal
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    Analysis and Equivalent-Circuit Model for CMOS On-Chip Multiple Coupled Inductors in the Millimeter-Wave Region.
    Gao, Zongzhi ; Kang, Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 3957-3964
    Online academicJournal
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    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor.
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1299-1309
    Online academicJournal
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    Optimization of the 65-nm CMOS Linear Front-End Circuit for the CMS Pixel Readout at the HL-LHC.
    Gaioni, L. ; Manghisoni, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2682-2692
    Online academicJournal
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    Frequency-Response-Oriented Design and Optimization of N+ Diffusion Guard Ring in Lightly Doped CMOS Substrate.
    Zhang, Le ; Li, Er-Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 59 (2017-04-01), Heft 2, S. 481-487
    Online academicJournal
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    Design and Analysis of a CMOS Moore Fractal MOM Capacitor With an Application to an RF Active Image Reject Filter.
    Ray, Arup ; De, Arijit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 704-710
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    High-Power Generation for mm-Wave 5G Power Amplifiers in Deep Submicrometer Planar and FinFET Bulk CMOS.
    Daneshgar, Saeid ; Dasgupta, Kaushik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-06-01), Heft 6, S. 2041-2056
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 1.7-in, 33-Mpixel, 120-frames/s CMOS Image Sensor With Depletion-Mode MOS Capacitor-Based 14-b Two-Stage Cyclic A/D Converters.
    Yasue, Toshio ; Kitamura, Kazuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 153-161
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    A High-Power 24–40-GHz Transmit–Receive Front End for Phased Arrays in 45-nm CMOS SOI.
    Lokhandwala, Mustafa ; Gao, Li ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-11-01), Heft 11, S. 4775-4786
    Online academicJournal
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