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    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2770-2777
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dynamic Capacitance Variations Due to Barrier Modulation in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensor.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5202-5208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Stochastic Propagation Delay Through a CMOS Inverter as a Consequence of Stochastic Power Supply Voltage—Part I: Model Formulation.
    Dietz, David
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 61 (2019-02-01), Heft 1, S. 226-232
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Compact Modeling of Charge Transfer in Pinned Photodiodes for CMOS Image Sensors.
    Capoccia, Raffaele ; Boukhayma, Assim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 160-168
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dynamic Capacitance Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2892-2898
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Charge Transfer Model for CMOS Image Sensors.
    Han, Liqiang ; Yao, Suying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 32-41
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Fast-Gated CMOS Image Sensor With a Vertical Overflow Drain Shutter Mechanism.
    Tadmor, Erez ; Lahav, Assaf ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 138-144
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design of fully-integrated digitally-controlled CMOS voltage amplifier.
    Chuah, Joon Huang ; Holburn, David
    In: International Journal of Electronics, Jg. 101 (2014-12-01), Heft 12, S. 1662-1670
    academicJournal
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    Battery-Less Electronic Layer Detectors Array (ELDA) for In-Tool DUV Detection by FinFET CMOS Technology.
    Wang, Chien-Ping ; Lin, Wei-Hwa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 4972-4976
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Low-Power CMOS Integrated Hall Switch Sensor.
    Wei, Rongshan ; Guo, Shizhong ; et al.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2017-11-07, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 2.3-mW 26.3-GHz $G_{m}$ -Boosted Differential Colpitts VCO With 20% Tuning Range in 65-nm CMOS.
    Haghi Kashani, Milad ; Molavi, Reza ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 67 (2019-04-01), Heft 4, S. 1556-1565
    Online academicJournal
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    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A design for testability approach for nano-CMOS analogue integrated circuits.
    Karmani, Mouna ; Khedhiri, Chiraz ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 100 (2013-06-01), Heft 6, S. 837-850
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node.
    Jiang, H. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1866-1871
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 21-dBm $I/Q$ Digital Transmitter Using Stacked Output Stage in 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Gaber, Wagdy M. ; Wambacq, Piet ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 65 (2017-11-01), Heft 11, S. 4744-4757
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design and Simulation of Novel Low-Voltage CMOS Vertical Hall Devices With Capacitively Coupled Measuring Contacts.
    Okeil, Hesham ; Schrag, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5653-5661
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Body-Biasing Technique for Single-Event Transient Mitigation in 28-nm Bulk CMOS Process.
    Liu, Jingtian ; Liang, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2717-2723
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    Modeling and Design of EMI-Immune OpAmps in 0.18-$\mu$ m CMOS Technology.
    Boyapati, Subrahmanyam ; Redoute, Jean-Michel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 58 (2016-10-01), Heft 5, S. 1609-1616
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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