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    CMOS Pixel Potentials Extraction Method From Test Structures Based on EKV Model.
    Doyen, C. ; Ricq, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2835-2840
    Online academicJournal
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    Volltext
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    On the Explicit Saturation Drain Current in the Generalized EKV Compact MOSFET Model.
    Garcia-Sanchez, Francisco J. ; Ortiz-Conde, Adelmo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 4813-4818
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Smooth EKV-Based DC Model for Accurate Simulation of Printed Transistors and Their Process Variations.
    Rasheed, Farhan ; Golanbari, Mohammad Saber ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 667-673
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of a BSIM3V3 and EKV MOSFET Model for a 0.5 μm CMOS Process and Implications for Analog Circuit Design.
    Terry, Stephen C. ; Rochelle, James M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-08-01), Heft 4, S. 915-920
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    EKV contractor selection targeted for fiscal 1999.
    Kandebo, Stanley W.
    In: Aviation Week & Space Technology, Jg. 146 (1997-03-03), Heft 9, S. 52-54
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Compact Terahertz SPICE/ADS Model.
    Liu, Xueqing ; Ytterdal, Trond ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2496-2501
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Boeing EKV sensor acquires targets in ballistic flight.
    Smith, Bruce A.
    In: Aviation Week & Space Technology, Jg. 146 (1997-06-30), Heft 27, S. 26-26
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Characterization and Simple Fixed Pattern Noise Correction in Wide Dynamic Range "Logarithmic" Imagers.
    Otim, Stephen O. ; Choubey, Bhaskar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Instrumentation & Measurement, Jg. 56 (2007-10-01), Heft 5, S. 1910-1916
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Boeing prepares EKV for hit-to-kill test.
    In: Aviation Week & Space Technology, Jg. 147 (1997-07-07), Heft 1, S. 48-48
    serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characterization and Modeling of Gigarad-TID-Induced Drain Leakage Current of 28-nm Bulk MOSFETs.
    Zhang, Chun-Min ; Jazaeri, Farzan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 38-47
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization and Modeling of Native MOSFETs Down to 4.2 K.
    Zhang, Yuanke ; Lu, Tengteng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4267-4273
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    SMART GRIDS FOR RENEWABLE ENERGY: COSTS AND BENEFITS.
    Yan, Qingyou ; Wan, Youwei ; et al.
    In: Transformations in Business & Economics, Jg. 16 (2017-09-15), Heft 3C, S. 430-439
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    A Compact Current- and Voltage-Mode Model of Antenna-Coupled FET Terahertz Detectors.
    Perenzoni, Matteo ; Ali, Muhammad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 471-478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Missile Defense: Events Related to Contractor Selection for the Exoatmospheric Kill Vehicle: GAO-03-324R.
    Gamboa, Anthony H.
    In: GAO Reports, 2003-01-27, S. 1-12
    Online Amtsdruckschrift
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    A Compact Statistical Model for the Low-Frequency Noise in Halo-Implanted MOSFETs: Large RTN Induced by Halo Implants.
    Banaszeski da Silva, Mauricio ; Both, Thiago H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3521-3526
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Compact Model for the Statistics of the Low-Frequency Noise of MOSFETs With Laterally Uniform Doping.
    Banaszeski da Silva, Mauricio ; Tuinhout, Hans P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3331-3336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Processes of AM-PM Distortion in Large-Signal Single-FET Amplifiers.
    Golara, Soheil ; Moloudi, Shervin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 245-260
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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    Noise Optimization of Charge Amplifiers With MOS Input Transistors Operating in Moderate Inversion Region for Short Peaking Times.
    Grybos, P. ; Idzik, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-06-02), Heft 3, S. 555-560
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Modeling of an Integrated Active Feedback Preamplifier in a 0.25 μm CMOS Technology at Cryogenic Temperatures.
    Saramad, Shahyar ; Anelli, Giovanni ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-10-01), Heft 5, S. 1290-1296
    Online academicJournal
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    Modelling charge injection in MOS analogue switches using a compact model in a deep submicron technology.
    Dei, A. ; Valle, M.
    In: IEE Proceedings -- Circuits, Devices & Systems, Jg. 153 (2006-06-01), Heft 3, S. 269-273
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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