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    Large-Scale Planar Block Adjustment of GaoFen1 WFV Images Covering Most of Mainland China.
    Pi, Yingdong ; Yang, Bo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Geoscience & Remote Sensing, Jg. 57 (2019-03-01), Heft 3, S. 1368-1379
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    역순 워크 포워드 검증을 이용한 암호화폐 가격 예측.
    현, 안 ; 장 백 철
    In: Journal of Internet Computing & Services, Jg. 23 (2022-08-01), Heft 4, S. 45-55
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Impact of Process Fluctuations on RF Small-Signal Parameter of Gate-All-Around Nanosheet Transistor Beyond 3 nm Node.
    Sun, Yabin ; Gao, Hengbin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 31-38
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Impact of Process Fluctuations on Reconfigurable Silicon Nanowire Transistor.
    Li, Xianglong ; Yang, Xiaoqiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 885-891
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comprehensive Variability Analysis in Dual-Port FeFET for Reliable Multi-Level-Cell Storage.
    Chatterjee, Swetaki ; Thomann, Simon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5316-5323
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiometric Cross-Calibration of GF-6/WFV Sensor Using MODIS Images With Different BRDF Models.
    Han, Jie ; Tao, Zui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Geoscience & Remote Sensing, Jg. 60 (2022-05-01), S. 1-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Semi-Automatic Extraction and Mapping of Farmlands Based on High-Resolution Remote Sensing Images.
    Liu, Dongsheng ; Han, Ling
    In: International Journal of Pattern Recognition & Artificial Intelligence, Jg. 36 (2022), Heft 1, S. 1-14
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Compact Model Strategy of Metal-Gate Work-Function Variation for Ultrascaled FinFET and Vertical GAA FETs.
    Ko, Kyul ; Kang, Myounggon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1613-1616
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of the Metal-Gate Material Properties in FinFET (Versus FD-SOI MOSFET) on High- $\kappa$ /Metal-Gate Work-Function Variation.
    Nam, Hyohyun ; Shin, Changhwan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4780-4785
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Reduction of Variability in Junctionless and Inversion-Mode FinFETs by Stringer Gate Structure.
    Kim, Jungsik ; Han, Jin-Woo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 470-475
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of Equivalent Oxide Thickness on Threshold Voltage Variation Induced by Work-Function Variation in Multigate Devices.
    Lee, Youngtaek ; Shin, Changhwan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), Heft 5, S. 2452-2456
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Study of Work-Function Variation in High- $\kappa $ /Metal-Gate Gate-All-Around Nanowire MOSFET.
    Nam, Hyohyun ; Lee, Youngtaek ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3338-3341
    Online academicJournal
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    Comparison of Gate-Metal Work Function Variability Between Ge and Si p-Channel FinFETs.
    Nawaz, Sk Masum ; Dutta, Souvik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 3951-3956
    Online academicJournal
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    Study of Work-Function Variation for High- $\kappa $ /Metal-Gate Ge-Source Tunnel Field-Effect Transistors.
    Lee, Youngtaek ; Nam, Hyohyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-07-01), Heft 7, S. 2143-2147
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Influence of Preferred Gate Metal Grain Orientation on Tunneling FETs.
    Choi, Kyoung Min ; Lee, Won-Sok ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 4, S. 1353-1356
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis of Single-Trap-Induced Random Telegraph Noise and its Interaction With Work Function Variation for Tunnel FET.
    Fan, Ming-Long ; Hu, Vita Pi-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-06-01), Heft 6, S. 2038-2044
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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    Design guidelines of tunnelling field‐effect transistors for the suppression of work‐function variation.
    Choi, W.Y.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 51 (2015-10-01), Heft 20, S. 1819-1821
    Online academicJournal
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    Grain-Orientation Induced Work Function Variation in Nanoscale Metal-Gate Transistors—Part I: Modeling, Analysis, and Experimental Validation.
    Dadgour, Hamed F. ; Endo, Kazuhiko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-10-01), Heft 10, S. 2504-2514
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Grain-Orientation Induced Work Function Variation in Nanoscale Metal-Gate Transistors—Part II: Implications for Process, Device, and Circuit Design.
    Dadgour, Hamed F. ; Endo, Kazuhiko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-10-01), Heft 10, S. 2515-2525
    Online academicJournal
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    Volltext
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
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