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    Performance enhancement of CMOS terahertz detector by drain current
    张行行 纪小丽 廖轶明 彭静宇 朱晨昕 闫锋
    In: 中国物理B：英文版 / Chinese Physics, Jg. 26 (2017), Heft 9, S. 491
    academicJournal
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    A 3.9ppm/℃ 8.8nW and High PSRR Subthreshold CMOS Multiple Voltage Reference
    JIANG Mei LI Yongquan YANG Zhi
    In: 电子学报：英文版 / Chinese of Journal Electronics, Jg. 26 (2017), Heft 1, S. 101
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling random telegraph signal noise in CMOS image sensor under low light based on binomial distribution
    张钰 逯鑫淼 王光义 胡永才 徐江涛
    In: 中国物理B：英文版 / Chinese Physics, 2016, Heft 7, S. 164
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响
    唐东峰 张平 龙志林 胡仕刚 吴笑峰
    In: 中南大学学报：自然科学版 / Journal of Central South University：Science and Technology, Jg. 44 (2013), Heft 4, S. 1438
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High efficiency grating couplers based on shared process with CMOS MOSFETs
    仇超 盛振 李乐 彭树根 武爱民 王曦 邹世昌 甘甫烷
    In: 中国物理B：英文版 / Chinese Physics, 2013, Heft 2, S. 298
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS AC/DC charge pump for a wireless sensor network
    张强 倪卫宁 石寅 俞育德
    In: 半导体学报 / Chinese Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012), Heft 10, S. 72
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    商用0.18μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究
    寇春梅 谢儒彬 洪根深 吴建伟
    In: 电子与封装 / Electronics ＆ Packaging, Jg. 16 (2016), Heft 4, S. 40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A high voltage Bi-CMOS compatible buffer super-junction LDMOS with an N-type buried layer
    伍伟 张波 方健 罗小蓉 李肇基
    In: 半导体学报：英文版 / Chinese Journal of Semiconductors, 2014, Heft 1, S. 65
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    应力技术改善CMOS器件性能研究进展
    谢欣云, 田志
    In: 中国集成电路 / China Integrated Circuit, 2012, Heft 5, S. 26
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    直接隧穿栅电流对CMOS逻辑电路的影响
    胡仕刚 吴笑峰 席在芳
    In: 电气电子教学学报 / Journal of Electrical ＆ Electronic Engineering Education, Jg. 33 (2011), Heft 6, S. 52
    academicJournal
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    Research progress of Si-based germanium materials and devices
    成步文 李成 刘智 薛春来
    In: 半导体学报：英文版 / Chinese Journal of Semiconductors, 2016, Heft 8, S. 1
    academicJournal
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    MOSFET-Iike CNFET based logic gate library for low-power application： a comparative study
    R A. Gowri Sankar K. Udhayakumar
    In: 半导体学报：英文版 / Chinese Journal of Semiconductors, 2014, Heft 7, S. 112
    academicJournal
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    Investigation and modeling of the avalanche effect in MOSFETs with non-uniform finger spacing
    刘军 孙玲玲 Marissa Condon
    In: 半导体学报 / Chinese Journal of Semiconductors, Jg. 32 (2011), Heft 12, S. 64
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Fabrication of a novel RF switch device with high performance using Ino.4Gao.6As MOSFET technology
    周佳辉 常虎东 张旭芳 杨靖治 刘桂明 李海鸥 刘洪刚
    In: 半导体学报：英文版 / Chinese Journal of Semiconductors, 2016, Heft 2, S. 77
    academicJournal
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    Experimental and theoretical study of an improved breakdown voltage SOI LDMOS with a reduced cell pitch＊
    罗小蓉 王骁玮 胡刚毅 范远航 周坤 罗尹春 范叶 张正元 梅勇 张波
    In: 半导体学报：英文版 / Chinese Journal of Semiconductors, 2014, Heft 2, S. 57
    academicJournal
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    AUIR08152S：车用栅级驱动IC
    无
    In: 世界电子元器件 / Global Electronics China, 2014, Heft 2, S. 27
    academicJournal
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    A passive UHF RFID tag with a dynamic-Vth-cancellation rectifier
    沈劲鹏 汪波 刘珊 王新安 阮正坤 李守成
    In: 半导体学报：英文版 / Chinese Journal of Semiconductors, 2013, Heft 9, S. 117
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A novel ESD power supply clamp circuit with double pull-down paths
    LIU HongXia YANG ZhaoNian LI Li ZHUO QingQing
    In: 中国科学：信息科学（英文版） / SCIENCE CHINA Information Sciences, 2013, Heft 10, S. 172
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High voltage generator circuit with low power and high efficiency applied in EEPROM
    刘彦 张世林 赵毅强
    In: 半导体学报 / Chinese Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 79
    Online academicJournal
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    模拟电路中MOS管的匹配性设计
    刘霞
    In: 集成电路通讯, 2013, Heft 4, S. 15
    academicJournal
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