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    Impact of band to band tunneling in In<subscript>0.53</subscript>Ga<subscript>0.47</subscript>As tunnel diodes on the deep level transient spectra.
    Gupta, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-12-03), Heft 23, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Defect evaluation in strain-relaxed Ge<subscript>0.947</subscript>Sn<subscript>0.053</subscript> grown on (001) Si.
    Gupta, S. ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-05), Heft 19, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si.
    Porret, C. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-15), Heft 16, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Electrical properties of extended defects in strain relaxed GeSn.
    Gupta, Somya ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-09), Heft 2, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Effective passivation of silicon surfaces by ultrathin atomic-layer deposited niobium oxide.
    Macco, B. ; Bivour, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-11), Heft 24, S. N.PAG- (4S.)
    Online academicJournal
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    Hydrogen passivation of poly-Si/SiO<subscript>x</subscript> contacts for Si solar cells using Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> studied with deuterium.
    Schnabel, Manuel ; van de Loo, Bas W. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-05-14), Heft 20, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Measurement of a magnonic crystal at millikelvin temperatures.
    Kosen, S. ; Morris, R. G. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018), Heft 1, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO<subscript>2</subscript>/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> stacks.
    van de Loo, B. W. H. ; Ingenito, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-06-26), Heft 26, S. 1-4
    Online academicJournal
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    On the manifestation of phosphorus-vacancy complexes in epitaxial Si:P films.
    Dhayalan, Sathish Kumar ; Kujala, Jiri ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-02-22), Heft 8, S. 82106-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Generating femtosecond X-ray pulses using an emittance-spoiling foil in free-electron lasers.
    Ding, Y. ; Behrens, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-11-09), Heft 19, S. 1-5
    Online academicJournal
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    An ultrashort pulse ultra-violet radiation undulator source driven by a laser plasma wakefield accelerator.
    Anania, M. P. ; Brunetti, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-06-30), Heft 26, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Band alignment at interfaces of amorphous Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> with Ge<subscript>1-x</subscript>Sn<subscript>x<superscript>-</superscript></subscript>and strained Ge-based channels.
    Chou, H. Y. ; Afanas'ev, V. V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-05-19), Heft 20, S. 1-5
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    Interaction between O<subscript>2</subscript> and ZnO films probed by time-dependent second-harmonic generation.
    Andersen, S. V. ; Vandalon, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-02-03), Heft 5, S. 51602-1- (4S.)
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    Single cell viability observation in cell dielectrophoretic trapping on a microchip.
    Huang, Chengjun ; Liu, Chengxun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-01-06), Heft 1, S. 13703-1- (5S.)
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    High 5.2 peak-to-valley current ratio in Si/SiGe resonant interband tunnel diodes grown by chemical vapor deposition.
    Ramesh, Anisha ; Berger, Paul R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-02-27), Heft 9, S. 92104-92107
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    Optical bistability in a quantum dots/micropillar device with a quality factor exceeding 200 000.
    Arnold, Christophe ; Loo, Vivien ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-03-12), Heft 11, S. 111111-111113
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    Undoped and in-situ B doped GeSn epitaxial growth on Ge by atmospheric pressure-chemical vapor deposition.
    Vincent, B. ; Gencarelli, F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-10-10), Heft 15, S. 152103-152105
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    Single-cycle terahertz pulses with >0.2 V/Å field amplitudes via coherent transition radiation.
    Daranciang, Dan ; Goodfellow, John ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-10-03), Heft 14, S. 141117-141119
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    Molecular beam deposition of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> on p-Ge(001)/Ge<subscript>0.95</subscript>Sn<subscript>0.05</subscript> heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer.
    Merckling, C. ; Sun, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-05-09), Heft 19, S. 192110-192112
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    Contact resistivity and Fermi-level pinning in n-type Ge contacts with epitaxial Si-passivation.
    Martens, Koen ; Rooyackers, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-01-03), Heft 1, S. 13504-13506
    Online academicJournal
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