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    Long-Term Degradation Behavior of 2.3-\mu\m Wavelength Highly Strained InAs/InP MQW-DFB Lasers With a p-/n-InP Buried Heterostructure.
    Takeshita, Tatsuya ; Sato, Tomonari ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 1056-1062
    Online academicJournal
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    Conduction Mechanisms and Low-Frequency Electrical Noise Studies in pin InGaAs/InAlAs Strained MQW Photodiodes.
    Pires, Mauricio P. ; Guastavino, Francis C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 1949-1953
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Nitride-Based MQW LEDs With Multiple GaN-SiN Nucleation Layers.
    Wei, S. C. ; Su, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-06-01), Heft 6, S. 1104-1109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Improved 634 nm MQW AlGaInp LEDs Performance With Novel Tensile Strain Barrier Reducing Layer.
    Su, Juh-Yuh ; Hsin-Chuan Wang, Victor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 12, S. 2388-2392
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Short optical pulse generated by integrated MQW DBR laser/EA-modulator fabricated by selective-area MOVPE.
    Chen, Y.K. ; Tanbun-Ek, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-01-11), Heft 11, S. 2118-2119
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Modulation characteristics of InP-based MQW lasers: the impact of biaxial compressive and tensile strain.
    Nichols, D. ; Davis, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-01-11), Heft 11, S. 2661-2662
    Online academicJournal
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    Investigation of DIBS-Deposited CdZnO/ZnO-Based Multiple Quantum Well for Large-Area Photovoltaic Application.
    Siddharth, Gaurav ; Singh, Ruchi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5587-5592
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Optical confinement factor dependence of K-factor, differential gain, and nonlinear gain in 1.55- mu m MQW and strained MQW lasers.
    Shimizu, J. ; Yamada, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-01-12), Heft 12, S. 2698-2698
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Anomalous damping in MQW lasers due to slow inter-well transport.
    Hangleiter, A. ; Grabmaier, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-01-11), Heft 11, S. 2106-2106
    Online academicJournal
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    Stable CW operation of a MQW laser emitting at 1.54 mu m on a Si substrate at room temperature.
    Sugo, M. ; Mori, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-01-12), Heft 12, S. 2692-2692
    Online academicJournal
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    Influence of Thickness of p-InGaN Layer on the Device Physics and Material Qualities of GaN-Based LEDs With p-GaN/ InGaN Heterojunction.
    Lin, Zhiting ; Chen, Xiaofeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5373-5380
    Online academicJournal
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    Hybrid White Light-Emitting Diodes Utilizing Radiative or Nonradiative Energy Transfer for Wavelength Conversion.
    Cao, X. A. ; Li, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4891-4896
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of InGaN Multiple-Quantum-Well LEDs With Improved Characteristics and Their Application in Underwater Optical Wireless Communications.
    Tsai, Chia-Lung ; Lu, Yi-Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4346-4352
    Online academicJournal
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    Spatiotemporal Summation and Recognition Effects for a Dual-Emitter Light-Induced Neuromorphic Device.
    Yang, Yongchao ; Shi, Zheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 308-313
    Online academicJournal
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    High-Performance GaN-Based LEDs on Si Substrates: The Utility of Ex Situ Low-Temperature AlN Template With Optimal Thickness.
    Wang, Haiyan ; Lin, Zhiting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4540-4546
    Online academicJournal
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    Planar GaN-Based Blue Light-Emitting Diodes With Surface p-n Junction Formed by Selective-Area Si–Ion Implantation.
    Lee, Ming-Lun ; Chiang, Kai-Jen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4156-4160
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    Stress Engineering During the Fabrication of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum Confined Stark Effect.
    Ki, Paulo ; Jiang, Quanzhong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4796-4801
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    GaN-Based UV Light-Emitting Diodes With a Green Indicator Through Selective-Area Photon Recycling.
    Chen, Fu-Bang ; Sheu, Jinn-Kong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), Heft 3, S. 1122-1127
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    Analysis of the Thickness Effect of Undoped Electron-Blocking Layer in Ultraviolet LEDs.
    Lin, Wen-Yu ; Wang, Tzu-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), Heft 11, S. 3790-3795
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    Electrical Polarization Effects on the Optical Polarization Properties of AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
    Chang, Yi-An ; Chen, Fang-Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3233-3238
    Online academicJournal
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