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    CMOS design of a capacitively isolated AC switch driver for auto-turning frequency.
    Zhang, M ; Llaser, N
    In: Measurement Science & Technology, Jg. 34 (2023-11-01), Heft 11, S. 1-12
    academicJournal
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    Astronomical Test with CMOS on the 60 cm Telescope at the Xinglong Observatory, NAOC.
    Mu, Hai-Yang ; Fan, Zhou ; et al.
    In: Research in Astronomy & Astrophysics, Jg. 24 (2024-05-01), Heft 5, S. 1-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Counting alpha particles produced by radon daughters using commercial off-the-shelf complementary metal oxide semiconductor (COTS CMOS) image sensors.
    Lin, Fen ; Xie, Ruomei ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 19 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    AstroPix4 — a novel HV-CMOS sensor developed for space based experiments.
    Striebig, N. ; Leys, R. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 19 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Realization of wafer-scale single-crystalline GaN film on CMOS-compatible Si(100) substrate by ion-cutting technique.
    Shi, Hangning ; Huang, Kai ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-12-01), Heft 12, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Multichannel integrated circuit for time-based measurements in 28 nm CMOS.
    Kadlubowski, L.A. ; Kmon, P.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 19 (2024-02-01), Heft 2, S. 1-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A 24−30 GHz 8-element dual-polarized 5G FR2 phased-array transceiver IC with 20.8-dBm TX OP1dB and 4.1-dB RX NFin 65-nm CMOS.
    Yi, Yongran ; Zhao, Dixian ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 45 (2024), Heft 1, S. 1-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Discussion of Mechanical Shock Test Stress for Ultra-large-scale CMOS Image Sensors.
    Xiong, Yuanyuan ; Rui, Erming ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2694 (2023-12-18), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Novel CMOS image sensor pixel to improve charge transfer speed and efficiency by overlapping gate and temporary storage diffusing node.
    Yang, Cui ; Peng, Guo-Liang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 30 (2021), Heft 1, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Valley photonic crystal waveguides fabricated with CMOS-compatible process.
    Yamaguchi, Takuto ; Yoshimi, Hironobu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-08-10), Heft 8, S. 1-7
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Scientific CMOS Sensors in Astronomy: IMX455 and IMX411.
    Alarcon, Miguel R. ; Licandro, Javier ; et al.
    In: Publications of the Astronomical Society of the Pacific, Jg. 135 (2023-05-01), Heft 1047, S. 1-15
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design of an integrated circuit with blanking technique for neural signal recording based on CMOS.
    Zhu, Jiayu ; Mo, Xiaorui ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2649 (2023-11-03), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Design and optimization of CMOS layout structure for improved semiconductor device performance.
    Huang, Peihao
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2649 (2023-11-03), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Incomplete charge transfer in CMOS image sensor caused by Si/SiO<subscript>2</subscript> interface states in the TG channel.
    Lu, Xi ; Liu, Changju ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1-8
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Study of the influence of virtual guard ring width on the performance of SPAD detectors in 180 nm standard CMOS technology.
    Liu, Danlu ; Li, Ming ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1-6
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Composite Gate Oxide Method for Improving the Reliability and Leakage Performance of Deep Submicron CMOS Processes.
    Zhou, Yaohui ; Zhang, Song ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2645 (2023-10-30), Heft 1, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simulation and optimization of metal gate CMOS process and circuit by TCAD.
    Tong, Yushang
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2634 (2023-10-19), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Exploration of high-speed 3.0 THz imaging with a 65 nm CMOS process.
    Liu, Min ; Cai, Ziteng ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1-8
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A calibration-free 10.7 fJ/conv.-step 12-bit 120-MS/s pipelined SAR ADC in 40nm CMOS.
    Li, Nan ; He, Xinyuan ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2613 (2023-09-28), Heft 1, S. 1-9
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    A Reconfigurable Analog Baseband for Multistandard Wireless Receivers in 22-nm CMOS.
    Huang, Mingjing ; He, Xiaoyong
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2613 (2023-09-28), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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