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    A 22‐37 GHz low noise amplifier with 2.8 dB mean noise figure and +22.9 dBm output 3rd‐order intercept point for 5th generation applications.
    Ma, Qian ; Xiang, Yuanjiang
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 61 (2019-09-01), Heft 9, S. 2202-2205
    Online academicJournal
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    9.5 mW fully integrated K‐band on–off keying receiver with −47.6 dBm sensitivity and 600 Mbit/s data rate in 90 nm CMOS.
    Chiou, H.‐K. ; Chien, K.‐H.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 52 (2016-06-01), Heft 13, S. 1175-1177
    Online academicJournal
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    A mm‐wave LNA employing current re‐use and non‐linearity cancellation in 28 nm CMOS for automotive RADAR and 6G receivers.
    Kalita, Ellora ; Khan, Barha ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 60 (2024-06-01), Heft 11, S. 1-4
    Online academicJournal
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    9.5 mW fully integrated K-band on-off keying receiver with -47.6 dBm sensitivity and 600 Mbit/s data rate in 90 nm CMOS.
    Chiou, H. K. ; Chien, K. H.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 52 (2016-06-23), Heft 13, S. 1175-1176
    Online academicJournal
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    6.8 mW 15 dBm IIP3 CMOS common‐gate LNA employing post‐linearisation technique.
    Guo, Benqing ; Wen, Guangjun ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 50 (2014), Heft 1, S. 149-151
    Online academicJournal
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    Design of a 2–18 GHz low noise amplifier MMIC with current reused topology.
    Zhang, Zijian ; Mou, Shouxian
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 66 (2024), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    A 5.5–7.5‐GHz band‐configurable wake‐up receiver fully integrated in 45‐nm RF‐SOI CMOS.
    Ma, Rui ; Protze, Florian ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 16 (2022-10-01), Heft 7, S. 525-542
    academicJournal
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    Design and robustness improvement of high‐performance LNA using 0.15 μm GaN technology for X‐band applications.
    Zafar, Salahuddin ; Cankaya Akoglu, Busra ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 50 (2022-07-01), Heft 7, S. 2305-2319
    Online academicJournal
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    A compact Ka‐band limiter‐low noise amplifier MMIC with high power capability.
    Yang, Lin ; Zhang, Ming ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 64 (2022-06-01), Heft 6, S. 1006-1011
    Online academicJournal
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    Reliability evaluation and redesign methodology for RFCMOS transceiver frontend circuits in sub‐6‐GHz band of fifth‐generation new radio communication based on the reliability model.
    Hsieh, Chun‐Ting ; Wang, Shang‐Hsien ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 49 (2021-10-01), Heft 10, S. 3443-3454
    Online academicJournal
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    A wideband balun‐LNA employing symmetrical CCC technique and balanced outputs.
    Eskandari, Razieh ; Ebrahimi, Afshin ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 15 (2021-07-01), Heft 4, S. 330-339
    academicJournal
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    Highly robust X‐band quasi circulator‐integrated low‐noise amplifier for high survivability of radio frequency front‐end systems.
    R, Vignesh ; Gorre, Pradeep ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 49 (2021-07-01), Heft 7, S. 2170-2182
    Online academicJournal
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    A 28 GHz GaAs front‐end IC with single positive supply voltage.
    Park, Jeongsoo ; Kim, Jeong‐Geun
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021-04-01), Heft 4, S. 1171-1176
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    A sub‐6GHz wideband low noise amplifier with high gain and low noise figure in 110‐nm SOI CMOS.
    Wang, Xiaowei ; Li, Zhiqun ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 59 (2023-09-01), Heft 17, S. 1-3
    Online academicJournal
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    A 23–31 GHz high‐gain GaN low‐noise amplifier using T‐type matching networks and multiple feedback techniques for broadband 5G millimeter‐wave applications.
    Liu, Hailiang ; Zhang, Zhihao ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-02-01), Heft 2, S. 507-512
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    Compact low‐noise power amplifier design and implementation for millimetre wave frequencies.
    Tsao, Chien‐Ming ; Tsao, Yi‐Fan ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 14 (2020-10-01), Heft 7, S. 1026-1031
    academicJournal
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    A 6–12 GHz wideband low‐noise amplifier GaAs FET design with 0.8‐dB average NF and 25‐dB gain.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 64 (2022-11-01), Heft 11, S. 1883-1887
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    A low‐power wideband LNA exploiting current‐reuse and noise cancelation techniques.
    Khanehbeygi, Mehran ; Jafarnejad, Roya ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 50 (2022-10-01), Heft 10, S. 3594-3613
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    A switchable dual‐mode fully‐differential common‐source low‐noise amplifier in 0.18‐μm CMOS technology.
    Zhang, Changchun ; Wang, Yongkai ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 62 (2020-03-01), Heft 3, S. 1163-1168
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    A 23‐31 GHz gallium nitride high‐robustness low‐noise amplifier with 1.1‐dB noise figure and 28‐dBm saturation output power.
    Zheng, Penghui ; Zhang, Shiyong ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 62 (2020-03-01), Heft 3, S. 1077-1081
    Online academicJournal
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