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    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
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    The Merged Voltage Follower: A Class-AB CMOS Follower With Enhanced Bandwidth to Drive Loads With Low Resistance and Large Capacitance Le suiveur de tension fusionné: un suiveur CMOS de classe AB avec une bande passante améliorée pour piloter des charges avec une faible résistance et une grande capacité
    Ocampo-Hidalgo, Juan Jesus ; Molinar-Solis, Jesus Ezequiel ; et al.
    In: IEEE Canadian Journal of Electrical & Computer Engineering, Jg. 44 (2021), Heft 1, S. 30-40
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2770-2777
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors.
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 379-383
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Efficient 60-GHz Power Amplifier With Adaptive AM-AM and AM-PM Distortions Compensation in 65-nm CMOS Process.
    Jung, Kyung Pil ; Son, Hyuk Su ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-07-01), Heft 7, S. 3045-3055
    Online academicJournal
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    A CMOS Image Sensor Pixel Combining Deep Sub-Electron Noise With Wide Dynamic Range.
    Boukhayma, Assim ; Caizzone, Antonino ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2020-06-01, Heft 6, S. 880-883
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Dynamic Capacitance Variations Due to Barrier Modulation in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensor.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5202-5208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Design of Low-Loss Coplanar Transmission Lines Using Distributed Loading for Millimeter-Wave Power Divider/Combiner Applications in 0.18- $\mu$ m CMOS Technology.
    Abd El-Hameed, Anwer Sayed ; Barakat, Adel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 66 (2018-12-01), Heft 12, S. 5221-5229
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A CMOS Highly Linear Doherty Power Amplifier With Multigated Transistors.
    Jung, Doohwan ; Zhao, Huan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 67 (2019-05-01), Heft 5, S. 1883-1891
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 40-GHz Mirrored-Cascode Differential Transimpedance Amplifier in 65-nm CMOS.
    Kim, Sang Gyun ; Hong, Chaerin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-05-01), Heft 5, S. 1468-1474
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Compact Modeling of Charge Transfer in Pinned Photodiodes for CMOS Image Sensors.
    Capoccia, Raffaele ; Boukhayma, Assim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 160-168
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 65-nm CMOS 6-bit 2.5-GS/s 7.5-mW 8 $\times$ Time-Domain Interpolating Flash ADC With Sequential Slope-Matching Offset Calibration.
    Oh, Dong-Ryeol ; Kim, Jong-In ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), Heft 1, S. 288-297
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 24–72-GS/s 8-b Time-Interleaved SAR ADC With 2.0–3.3-pJ/Conversion and >30 dB SNDR at Nyquist in 14-nm CMOS FinFET.
    Kull, Lukas ; Luu, Danny ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-12-01), Heft 12, S. 3508-3516
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Dynamic Capacitance Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2892-2898
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Super-Resolution Electrochemical Impedance Imaging With a 512 × 256 CMOS Sensor Array.
    Hu, Kangping ; Ho, Jason ; et al.
    In: IEEE Transactions on Biomedical Circuits & Systems, Jg. 16 (2022-08-01), Heft 4, S. 502-510
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 0.5-V Multiple-Input Bulk-Driven OTA in 0.18-μm CMOS.
    Khateb, Fabian ; Kulej, Tomasz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-11-01), Heft 11, S. 1739-1747
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 108-nW 0.8-mm 2 Analog Voice Activity Detector Featuring a Time-Domain CNN With Sparsity-Aware Computation and Sparsified Quantization in 28-nm CMOS.
    Chen, Feifei ; Un, Ka-Fai ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-11-01), Heft 11, S. 3288-3297
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 69-dB SNDR 300-MS/s Two-Time Interleaved Pipelined SAR ADC in 16-nm CMOS FinFET With Capacitive Reference Stabilization.
    Martens, Ewout ; Hershberg, Benjamin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-04-01), Heft 4, S. 1161-1171
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 16-bit 16-MS/s SAR ADC With On-Chip Calibration in 55-nm CMOS.
    Shen, Junhua ; Shikata, Akira ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-04-01), Heft 4, S. 1149-1160
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    A 64-Gb/s 1.4-pJ/b NRZ Optical Receiver Data-Path in 14-nm CMOS FinFET.
    Ozkaya, Ilter ; Cevrero, Alessandro ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-12-01), Heft 12, S. 3458-3473
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