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    Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique.
    Shengurov, V. ; Chalkov, V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 49 (2015-10-01), Heft 10, S. 1365-1368
    Online academicJournal
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    High-performance pMOSFETs with high Ge fraction strained SiGe-heterostructure channel and ultrashallow source/drain formed by selective B-doped SiGe CVD.
    Takehiro, Shinobu ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Electrical Engineering in Japan, Jg. 165 (2008-11-15), Heft 3, S. 46-50
    Online academicJournal
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    Magnetization Mechanism of Si-Gradient Steel Sheet Manufactured by CVD Siliconizing Process.
    Hiratani, Tatsuhiko ; Namikawa, Misao ; et al.
    In: Electrical Engineering in Japan, Jg. 193 (2015-11-01), Heft 2, S. 18-29
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Effect of electron irradiation on carrier removal rate in silicon and silicon carbide with 4 H modification.
    Kozlovskiĭ, V. ; Emtsev, V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 42 (2008-02-01), Heft 2, S. 242-247
    Online academicJournal
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    Effect of low-temperature annealing on characteristics of SiC detectors with radiation-induced defects.
    Ivanov, A. M. ; Strokan, N. B. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 41 (2007-08-01), Heft 8, S. 979-983
    Online academicJournal
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    Paramagnetic Structural Defects and Conductivity in Hydrogenated Nanocrystalline Carbon-Doped Silicon Films.
    Shevaleevskii, O. I. ; Tsvetkov, A. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 38 (2004-05-01), Heft 5, S. 528-530
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Development of short-wavelength far-infrared lasers and measurement of optical constants.
    Nakayama, Kazuya ; Tazawa, Hisaki ; et al.
    In: Electrical Engineering in Japan, Jg. 153 (2005-11-30), Heft 3, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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