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    Selected Papers from the V<superscript>th</superscript> Modern Power Systems and Units Conference in Celebration of Professor Jan Taler on His 70<superscript>th</superscript> Birthday.
    Zima, Wiesław ; Cisek, Piotr
    In: Heat Transfer Engineering, Jg. 44 (2023-06-01), Heft 11/12, S. 909-911
    Online academicJournal
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    Investigations of 4H‐SiC trench MOSFET with integrated high‐K deep trench and gate dielectric.
    Yao, Jiafei ; Liu, Yuao ; et al.
    In: IET Power Electronics (Wiley-Blackwell), Jg. 17 (2024-05-20), Heft 7, S. 869-877
    Online academicJournal
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    Design of Pixel Circuit Using a-IGZO TFTs to Enhance Uniformity of AMOLED Displays by Threshold Voltage Compensation.
    Sodhani, Aditya ; Goswami, Rupam ; et al.
    In: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ), Jg. 46 (2021-10-01), Heft 10, S. 9663-9672
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    GNRFET- and CNTFET-Based Designs of Highly Efficient 22 T Unbalanced Single-Trit Ternary Multiplier Cell.
    Abbasian, Erfan ; Aminzadeh, Alireza ; et al.
    In: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ), Jg. 48 (2023-11-01), Heft 11, S. 15337-15352
    Online academicJournal
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    Performance Evaluation of Inversion Mode and Junctionless Dual-Material Double-Surrounding Gate Si Nanotube MOSFET for 5-nm Gate Length.
    Sanjay ; Prasad, B. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 55 (2021-12-01), Heft 12, S. 936-942
    Online academicJournal
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    Recent Developments and Prospects of Fully Recessed MIS Gate Structures for GaN on Si Power Transistors.
    Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro ; Vauche, Laura ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 16 (2023-04-01), Heft 7, S. 2978-3005
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Analytic Model of Threshold Voltage (V TH) Recovery in Fully Recessed Gate MOS-Channel HEMT (High Electron Mobility Transistor) after OFF-State Drain Stress.
    Escoffier, René ; Mohamad, Blend ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 15 (2022-02-01), Heft 3, S. 677-677
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Investigation of Pd|HfO2|AlGaN|GaN Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistor with Sensitization, Activation, and Electroless-Plating Approaches.
    Lin, Y. C. ; Niu, J. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020-07-01), Heft 7, S. 803-810
    Online academicJournal
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    Performance of Parallel Connected SiC MOSFETs under Short Circuits Conditions.
    Wu, Ruizhu ; Mendy, Simon ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 14 (2021-10-15), Heft 20, S. 6834-6834
    Online academicJournal
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    Analysis of Instability Behavior and Mechanism of E-Mode GaN Power HEMT with p-GaN Gate under Off-State Gate Bias Stress.
    Elangovan, Surya ; Chang, Edward Yi ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 14 (2021-04-15), Heft 8, S. 2170-2170
    Online academicJournal
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    Reliability Characterization of Gallium Nitride MIS-HEMT Based Cascode Devices for Power Electronic Applications.
    Elangovan, Surya ; Cheng, Stone ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 13 (2020-05-15), Heft 10, S. 2628-2628
    Online academicJournal
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    High Threshold Voltage Normally off Ultra-Thin-Barrier GaN MISHEMT with MOCVD-Regrown Ohmics and Si-Rich LPCVD-SiNx Gate Insulator.
    Wang, Hsiang-Chun ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 13 (2020-05-15), Heft 10, S. 2479-2479
    Online academicJournal
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    Incompatible element-enriched mantle lithosphere beneath kimberlitic pipes in Priazovie, Ukrainian shield: volatile-enriched focused melt flow and connection to mature crust?
    Ashchepkov, I.V. ; Vladykin, N.V. ; et al.
    In: International Geology Review, Jg. 63 (2021-05-15), Heft 10, S. 1288-1309
    academicJournal
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    Model parameter calibration method of SiC power MOSFETs behavioural model.
    Wen, Yang ; Yang, Yuan ; et al.
    In: IET Power Electronics (Wiley-Blackwell), Jg. 13 (2020-02-15), Heft 3, S. 426-435
    Online academicJournal
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    High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN.
    Rolland, Gwen ; Rodriguez, Christophe ; et al.
    In: Energies (19961073), Jg. 14 (2021-10-01), Heft 19, S. 6098-6098
    Online academicJournal
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    An Analysis of Generation Mechanisms of Transitional Peak Current IN Sense-Emitter Current for IGBTs with Current Sense and Techniques to Remove It.
    Hagino, Hiroyasu ; Yamada, Tomihisa ; et al.
    In: Electrical Engineering in Japan, Jg. 115 (1995-12-15), Heft 8, S. 95-108
    academicJournal
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    Comparison of Trans-Conductance Ratio (β) for a High-Speed Inverter Design.
    Asati, Abhijit ; Shekhar, Chandra
    In: ICFAI University Journal of Electrical & Electronics Engineering, Jg. 2 (2009), Heft 1, S. 7-13
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    CUTTING-EDGE solutions.
    WRIGHT, NICK
    In: Modern Metals, Jg. 67 (2011-08-01), Heft 7, S. 34-37
    Online serialPeriodical
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    Modelling and Analysis of Energy Harvesting in Internet of Things (IoT): Characterization of a Thermal Energy Harvesting Circuit for IoT based Applications with LTC3108.
    Afghan, Syeda Adila ; Géza, Husi
    In: Energies (19961073), Jg. 12 (2019-10-15), Heft 20, S. 3873-3873
    Online academicJournal
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    Self-correction of field-effect transistor characteristics in the mode of spontaneous space-charge ion polarization of gate oxide.
    Zhdan, A. G. ; Naryshkina, V. G. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 43 (2009-05-01), Heft 5, S. 677-679
    Online academicJournal
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