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    Single-Event Effects Characterization of LC-VCO PLLs in a 28-nm CMOS Technology.
    Zhang, Zhichao ; Djahanshahi, Hormoz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 2042-2050
    Online academicJournal
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    CMOS Rad-Hard Front-End Electronics for Precise Sensors Measurements.
    Sordo-Ibanez, Samuel ; Pinero-Garcia, Blanca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-15), Heft b4, S. 2379-2389
    Online academicJournal
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    Time-Dependent Single-Event Effects in CMOS $LC$ -Oscillators.
    Prinzie, Jeffrey ; De Smedt, Valentijn
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 2048-2054
    Online academicJournal
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    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1888-1897
    Online academicJournal
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    A Compact, Low Jitter, CMOS 65 nm 4.8–6 GHz Phase-Locked Loop for Applications in HEP Experiments Front-End Electronics.
    Mazza, Giovanni ; Panati, Serena
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1212-1217
    Online academicJournal
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    A Self-Triggered Column-Level ADC for CMOS Pixel Sensors in High Energy Physics.
    Zhang, Liang ; Morel, Frederic ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-06-10), Heft 3, S. 1269-1277
    Online academicJournal
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    Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process.
    Jiang, H. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 477-482
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Novel Soft Error Robust Flip-Flops in 65nm CMOS.
    Rennie, David J. ; Sachdev, Manoj
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-15), Heft 5, S. 2470-2476
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Transient Sensitivity Evaluation of Clock Networks at 28-nm CMOS Technology.
    Wang, H. B. ; Mahatme, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-02-15), Heft 1b, S. 385-391
    Online academicJournal
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    Characterization of Heavy-Ion-Induced Single-Event Effects in 65 nm Bulk CMOS ASIC Test Chips.
    Chen, Chia-Hsiang ; Knag, Phil ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-10-02), Heft 5, S. 2694-2701
    Online academicJournal
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    Experimental Soft Error Rate of Several Flip-Flop Designs Representative of Production Chip in 32 nm CMOS Technology.
    Gasiot, Gilles ; Glorieux, Maximilien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4226-4231
    Online academicJournal
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    Multiplexed Oversampling Digitizer in 65 nm CMOS for Column-Parallel CCD Readout.
    Grace, Carl R. ; Walder, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-02-15), Heft 1, S. 246-250
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Total-Ionizing-Dose Induced Timing Window Violations in CMOS Microcontrollers.
    Diggins, Zachary J. ; Mahadevan, Nagabhushan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 2979-2984
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 24-Channel Digitizer With a JESD204B-Compliant Serial Interface for High-Speed Detectors.
    Grace, C. R. ; Fong, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 2, S. 426-433
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Single-Event Analysis and Hardening of Mixed-Signal Circuit Interfaces in High-Speed Communications Devices.
    Armstrong, S. E. ; Blaine, R. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1027-1033
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Prototype Readout System for the ALPIDE Pixel Sensor.
    Yang, Chenfei ; Feng, Changqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1088-1094
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 65 nm Low-Power Adaptive-Coupling Redundant Flip-Flop.
    Masuda, Masaki ; Kubota, Kanto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2750-2755
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 65 nm Low-Power Adaptive-Coupling Redundant Flip-Flop.
    Masuda, Masaki ; Kubota, Kanto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2750-2755
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    A Waveform Sampling Prototype ASIC for Picosecond-Level Time Measurement.
    Qin, Jiajun ; Wang, Yuting ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-11-01), Heft 11, S. 2271-2279
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    Neutron-Induced Pulsewidth Distribution of Logic Gates Characterized Using a Pulse Shrinking Chain-Based Test Structure.
    Pande, Nakul ; Kumar, Saurabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2736-2747
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