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    Nanoscale defect formation on lnP (111) surfaces after MeV Sb implantation
    Paramanik, Dipak ; Pradhan, Asima ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Defects and electrical behavior in 1 MeV Si(super +)-ion-irradiated 4H-SiC Schottky diodes
    Roccaforte, F. ; Libertino, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Analysis of latent tracks for MeV protons in CR-39
    Kar, S. ; Borghesi, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-02-15), Heft 4, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Interaction between Fe, dopants, and secondary defects in MeV Fe ion implanted InP
    Gasparotto, Andrea ; Carnera, Alberto ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-01-15), Heft 2, S. 753-760
    Online academicJournal
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    Influence of 90 MeV oxygen ion induced disorder on the magnetotransport in epitaxial La0.7Ca0.3MnO3 thin films
    Ogale, S.B. ; Ghosh, K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-12-01), Heft 11, S. 6255-6261
    Online academicJournal
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    Mechanism of iron gettering in MeV Si ion implanted epitaxial silicon
    Koveshnikov, Sergei V. ; Rozgonyi, George A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-15), Heft 6, S. 3078-3084
    Online academicJournal
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    Electro-optical measurements of picosecond bunch length of a 45 MeV electron beam
    Tsang, T. ; Castillo, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-05-01), Heft 9, S. 4921-4926
    Online academicJournal
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    Recombination enhanced defect reactions in 1 MeV electron irradiated p InGaP
    Khan, Aurangzeb ; Yamaguchi, Masafumi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-04-15), Heft 8, S. 4263-4268
    Online academicJournal
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    Effect of implant temperature on secondary defects created by MeV Sn implantation in silicon
    Wong-Leung, J. ; Jagadish, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2556-2559
    Online academicJournal
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    Electronic excitation induced mass transport on 200 MeV 107AG+14 ion irradiated Si surface
    Singh, J.P. ; Singh, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-03-15), Heft 6, S. 2742-2746
    Online academicJournal
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    Evolution of defect complexes in silicon single crystals with heavy fluence 10 MeV proton irradiation
    Khan, Aurangzeb ; Yamaguchi, Masafumi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-03-01), Heft 5, S. 2162-2168
    Online academicJournal
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    Elastic scattering cross sections for the p+He system in the energy region of 1.4-24 MeV
    Nurmela, A. ; Rauhala, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 82 (1997-09-01), Heft 5, S. 1983-1988
    Online academicJournal
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    The effect of as-implanted damage on the microstructure of threading dislocations in MeV implanted silicon
    Bourdelle, K.K. ; Eaglesham, D.J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-08-01), Heft 3, S. 1221-1225
    Online academicJournal
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    Quantitative characterization of ion-induced SiO2/Si interface traps by means of MeV He single-ion irradiation
    Koh, M. ; Ohdomari, I. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-06-01), Heft 11, S. 7814-7818
    Online academicJournal
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    2 MeV electron irradiation of silicon at elevated temperatures: influence on platinum diffusion and creation of electrically active defects
    Schmidt, D.C. ; Svensson, B.G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-04-01), Heft 7, S. 3558-3562
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    Particle-induced conductivity and photoconductivity of silicon under 17 MeV proton irradiation
    Amekura, Hiroshi ; Kishimoto, Naoki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-01), Heft 9, S. 4834-4841
    Online academicJournal
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    Impurity gettering to secondary defects created by MeV ion implantation in silicon
    Brown, R.A. ; Kononchuk, O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-01), Heft 5, S. 2459-2465
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    Electrical characterization of MeV heavy-ion-induced damage in silicon: evidence for defect migration and clustering
    Giri, P.K. ; Mohapatra, Y.N.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-08-15), Heft 4, S. 1901-1912
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    Effects of MeV ion irradiation of thin cubic boron nitride films
    Ullmann, J. ; Baglin, J.E.E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-03-15), Heft 6, S. 2980-2987
    Online academicJournal
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    Surface modification of n-GaAs by 50 MeV silicon ions
    Hullavarad, Shiva S. ; Railkar, T.A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-02-15), Heft 4, S. 1962-1966
    Online academicJournal
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