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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling
    Cock, Wouter De ; Scott, Robin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 101-110
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Rubaldo, Laurent ; Marcandella, Claude ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 92-100
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Magnan, Pierre ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 84-91
    Online academicJournal
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    65-nm CMOS Front-End Channel for Pixel Readout in the HL-LHC Radiation Environment
    Traversi, Gianluca ; Riceputi, Elisa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 2922-2932
    Online academicJournal
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    Characterization of the Photon Counting CHASE Jr., Chip Built in a 40-nm CMOS Process With a Charge Sharing Correction Algorithm Using a Collimated X-Ray Beam
    Krzyzanowska, A. ; Deptuch, G. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2561-2568
    Online academicJournal
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    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application
    Liu, Fan ; Yang, Feng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2505-2510
    Online academicJournal
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    Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology
    Jansen, R. J. E. ; Lindner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 2204-2211
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Experimental Investigation of Single-Event Transient Waveforms Depending on Transistor Spacing and Charge Sharing in 65-nm CMOS
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 2136-2143
    Online academicJournal
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    A compact low-power driver array for VCSELs in 65-nm CMOS technology
    Zeng, Zhiyao ; Sun, Kexu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-06-01), Heft 6, S. 1599-1604
    Online academicJournal
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    A front-end channel in 65 nm CMOS for pixel detectors at the HL-LHC experiment upgrades
    Ratti , L. ; Canio , F. De ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 789-799
    Online academicJournal
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    Single-event performance of sense-amplifier based flip-flop design in a 16-nm bulk FinFET CMOS process
    Massengill, L. W. ; Holman, W. T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 477-482
    Online academicJournal
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    Comparison of a 65 nm CMOS ring- and LC-oscillator based PLL in terms of TID and SEU sensitivity
    Leroux, Paul ; Steyaert, Michiel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 245-252
    Online academicJournal
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    Combined effects of total ionizing dose and temperature on a K-band quadrature LC-Tank VCO in a 32 nm CMOS SOI technology
    Massengill, L. W. ; Haeffner, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 204-211
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Radiation hardening of digital color CMOS camera-on-a-chip building blocks for multi-MGy total ionizing dose environments
    Allanche, Timothe ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 45-53
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Radiation effects in pinned photodiode CMOS image sensors: variation of epitaxial layer thickness
    Bardoux, Alain ; Materne, Alex ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 38-44
    Online academicJournal
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    Dark current spectroscopy in neutron, proton and ion irradiated CMOS image sensors: from point defects to clusters
    Gilard, Olivier ; Durnez, Clementine ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 27-37
    Online academicJournal
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    Recoil-ion-induced single event upsets in nanometer CMOS SRAM under low-energy proton radiation
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 654-664
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Recoil-ion-induced single event upsets in nanometer CMOS SRAM under low-energy proton radiation
    Song, Ruiqiang ; Huang, Pengcheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 654-664
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    CMOS rad-hard front-end electronics for precise sensors measurements
    Sordo-Ibanez, Samuel ; Pinero-Garcia, Blanca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 4, S. 2379-2389
    Online academicJournal
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    A 2D proof of principle towards a 3D digital SiPM in HV CMOS with low output capacitance
    Nolet, Frederic ; Rheaume, Vincent-Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 4, S. 2293-2299
    Online academicJournal
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