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    NBTI/PBTI-Aware WWL Voltage Control for Half-Selected Cell Stability Improvement
    Lee, Z. C. ; Leong, K. C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 60 (2013-09-01), Heft 9, S. 602-606
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A new architecture of robot with "wheels-with-legs" (WWL)
    Velimirovic, A. ; Velimirovic, M. ; et al.
    In: AMC'98 - Coimbra. 1998 5th International Workshop on Advanced Motion Control. Proceedings (Cat. No.98TH8354), 1998, S. 434-439
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    An 8T SRAM with BTI-Aware Stability Monitor and two-phase write operation for cell stability improvement in 28-nm FDSOI
    Lee, Zhao Chuan ; Siddiqui, M. Sultan M. ; et al.
    In: ESSCIRC Conference 2016: 42nd European Solid-State Circuits, 2016-09-01, S. 437-440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    FactDAG: Formalizing Data Interoperability in an Internet of Production
    Gleim, L. ; Pennekamp, J. ; et al.
    In: IEEE Internet of Things Journal, Jg. 7 (2020-04-01), Heft 4, S. 3243-3253
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Vision Paper: Leveraging Industrial Big Data – Past, Present, and Future of the World Wide Lab
    Behery, Mohamed ; Glawe, Felix ; et al.
    In: 2023 IEEE International Conference on Big Data (BigData), 2023-12-15, S. 1308-1313
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analyzing the Influence of Mental Workload on Vestibulo-Ocular Reflex While Driving Using a Computational Model
    Kono, Takuya ; Sato, Yuki ; et al.
    In: 2020 IEEE International Conference on Systems, Man, and Cybernetics (SMC), 2020-10-11, S. 3229-3234
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    An 8T SRAM With On-Chip Dynamic Reliability Management and Two-Phase Write Operation in 28-nm FDSOI
    Lee, Z.C. ; Siddiqui, M.S.M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-07-01), Heft 7, S. 2091-2101
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Area Efficient Multi Level Cell SOT-MRAM with Shared Diode for High Density Memories Applications
    Ahmed, K. A. ; Fei, L. ; et al.
    In: 2018 IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG), 2018-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    NBTI/PBTI-aware wordline voltage control with no boosted supply for stability improvement of half-selected SRAM cells
    Zhao Chuan Lee ; Kim Ming Ho ; et al.
    In: 2012 International SoC Design Conference (ISOCC), 2012-11-01, S. 200-203
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Capacitive-coupling wordline boosting with self-induced VCC collapse for write VMIN reduction in 22-nm 8T SRAM
    Kulkarni, Jaydeep ; Geuskens, Bibiche ; et al.
    In: 2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2012-02-01, S. 234-236
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enhanced data integrity of In-Ga-Zn-Oxide based Capacitor-less 2T memory for DRAM applications
    Oh, Hyungrock ; Belmonte, Attilio ; et al.
    In: ESSDERC 2021 - IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2021-09-13, S. 275-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hybrid GC-eDRAM/SRAM Bitcell for Robust Low-Power Operation
    Giterman, R. ; Teman, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 1362-1362
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Application of a neural network to automatic gray level adjustment for medical images
    Ohhashi, A. ; Yamada, S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1991 IEEE International Joint Conference on Neural Networks, 1991, S. 974-980
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    2x2 Matrix Multiplication with 4-Bit elements in 45nm CMOS Technology
    Patel, Chiranjit R ; Urankar, Vivek ; et al.
    In: 2020 4th International Conference on Electronics, Communication and Aerospace Technology (ICECA), 2020-11-05, S. 69-75
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optimized IGZO FETs for Capacitorless DRAM with Retention of 10 ks at RT and 7 ks at 85 °C at Zero Vhold with Sub-10 ns Speed and 3-bit Operation
    Hu, Qianlan ; Li, Qijun ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Words Worth Learning - Augmented Literacy Content for ADHD Students
    Luna, Jazheel ; Treacy, Rita ; et al.
    In: 2018 IEEE Games, Entertainment, Media Conference (GEM), 2018-08-01, S. 1-9
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design of a 32nm independent gate FinFET based SRAM cell with improved noise margin for low power application
    Rahaman, Mirwaiz ; Mahapatra, Rajat
    In: 2014 International Conference on Electronics and Communication Systems (ICECS), 2014-02-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A disturb-free subthreshold 9T SRAM cell with improved performance and variation tolerance
    Lu, Chien-Yu ; Chuang, Ching-Te
    In: 2013 IEEE International SOC Conference, 2013-09-01, S. 325-329
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    17.2 A 64kb 16nm asynchronous disturb current free 2-port SRAM with PMOS pass-gates for FinFET technologies
    Fujiwara, Hidehiro ; Wang, Li-Wen ; et al.
    In: 2015 IEEE International Solid-State Circuits Conference - (ISSCC) Digest of Technical Papers, 2015-02-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Design and Iso-Area $V_{\min}$ Analysis of 9T Subthreshold SRAM With Bit-Interleaving Scheme in 65-nm CMOS
    Chang, M. H. ; Chiu, Y. T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 429-433
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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