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    Ge-CMOS集積化技術の開発動向
    Trends in Developing Ge-CMOS Integration Technologies
    2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and Electrical Characterization of Strained Si-on-insulator/Strained SiGe-on-insulator Dual Channel CMOS structures with High-Mobility Channels / 高移動度チャネルを有するひずみSi-on-insulator / ひずみSiGe-on-insulatorデュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
    Toyoda, Eiji ; Sugiyama, Naoharu ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 126 (2006), Heft 11, S. 1332
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Realization of SiC Power Ics —Paving the Way to Ultra-fast Switching in High Power Applications— / SiCパワーICを実現 ─大電力の超高速スイッチング動作に道筋─
    Okamoto, Mitsuo ; 光央, 岡本
    In: 電気学会誌, Jg. 143 (2023-10-01), Heft 10, S. 648
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Wide Variable Range CMOS-VCXO for IC
    HIDEO, OTSUKA ; MADOKA, KOMATSUBARA ; et al.
    1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET with 65nm CMOS Process
    Takeshi, SASAKI ; Takuya, IMAMOTO ; et al.
    2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ｢講演奨励賞受賞記念講演｣0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS
    睿, 張 ; 汝静, 林 ; et al.
    2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    次世代ナノCMOSにおける物性制御と不純物
    理, 中塚 ; 正太郎, 竹内 ; et al.
    2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SPICEによる低電圧シリコンナノワイヤトランジスタCMOS回路性能の検討
    建, 内田 ; 健介, 太田 ; et al.
    2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature-compensated CMOS current reference circuit for ultralow-power subthreshold LSIs
    Asai, Tetsuya ; Hirose, Tetsuya ; et al.
    2008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Prevention of Highly Power-Efficient Circuits due to Short-Channel Effects in MOSFETs
    Arnab, MUKHOPADHYAY ; Dondee, NAVARRO ; et al.
    2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」) / Techniques for high accurate and fast measurement of RTN and fabrication process conditions having a strong influence on RTN characteristics
    Akinobu, TERAMOTO ; Kenichi, ABE ; et al.
    2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of double-patterning and double-etching on the line-edge-roughness of multi-gate bulk MOSFETs
    Shin, Changhwan ; In Jun Park
    2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)
    Ota, Hiroyuki ; Maeda, Tatsuro ; et al.
    2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ⅲ-Ⅴ/Ge device technologies for electronic-photonic integrated circuits on the Si platform / シリコンプラットフォーム上光電子集積回路に向けたⅢ-Ⅴ/Geデバイス技術
    Mitsuru, TAKENAKA ; Shinichi, TAKAGI ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 82 (2013-04-10), Heft 4, S. 309
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    HfSiON gate dielectrics / HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
    Akio, KANEKO ; Izumi, HIRANO ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 73 (2004-09-10), Heft 9, S. 1200
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Recent progress of SOI (silicon-on-insulator) device technology / 最近のSOI (silicon-on-insulator) 素子技術
    Makoto, YOSHIMI ; 信, 吉見
    In: 応用物理, Jg. 70 (2001-02-10), Heft 2, S. 165
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    FinFET SRAM integration technology / 最先端 FinFET SRAM 集積化技術
    Hirohisa, KAWASAKI ; 博久, 川崎
    In: 応用物理, Jg. 79 (2010-12-10), Heft 12, S. 1103
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Recent prospect for metal gate technology / メタルゲート技術の最近の展望
    Kazuaki, NAKAJIMA ; Kouji, MATSUO ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 74 (2005-09-10), Heft 9, S. 1185
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Prospect of SOI devices / SOIデバイスの展望
    Toshiaki, TSUCHIYA ; 敏章, 土屋
    In: 応用物理, Jg. 66 (1997-11-10), Heft 11, S. 1191
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Variability in Scaled MOS Transistors: Present Status and Measures / 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき：現状と対策
    Nishida, Akio ; Takeuchi, Kiyoshi ; et al.
    In: 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, Jg. 128 (2008-06-01), Heft 6, S. 820
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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