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    CVDプロセスにおける熱流体現象のマルチスケール解析
    幸紀, 崎山
    In: トライボロジスト = Journal of Japanese Society of Tribologists / 日本トライボロジー学会 編, Jg. 52 (2007), Heft 7, S. 513-518
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVDプロセスにおける熱流体現象のマルチスケール解析
    幸紀, 崎山
    In: トライボロジスト = Journal of Japanese Society of Tribologists / 日本トライボロジー学会 編, Jg. 52 (2007), Heft 7, S. 513-518
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
    さおり, 奥野 ; 創史, 三浦 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 111 (2011-08-01), Heft 176, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
    さおり, 奥野 ; 創史, 三浦 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 111 (2011-08-01), Heft 176, S. 31-36
    academicJournal
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    Formation of silicon nanowires by CVD using gold catalysts at low temperatures
    Suzuki, Hiroshi ; Araki, Hiroshi ; et al.
    In: Materials transactions, Jg. 48 (2007-08-01), Heft 8, S. 2202-2206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Formation of silicon nanowires by CVD using gold catalysts at low temperatures
    Suzuki, Hiroshi ; Araki, Hiroshi ; et al.
    In: Materials transactions, Jg. 48 (2007-08-01), Heft 8, S. 2202-2206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    枚葉式CVD装置によるシリコンエピタキシャル成長の数値解析
    祥一, 安廣 ; 永植, 申 ; et al.
    In: 化学工学論文集, Jg. 30 (2004), Heft 1, S. 22-28
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    枚葉式CVD装置によるシリコンエピタキシャル成長の数値解析
    祥一, 安廣 ; 永植, 申 ; et al.
    In: 化学工学論文集, Jg. 30 (2004), Heft 1, S. 22-28
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定
    和雅, 河瀬 ; 真雄, 井上 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 103 (2003-10-20), Heft 373, S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定
    和雅, 河瀬 ; 真雄, 井上 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 103 (2003-10-20), Heft 373, S. 29-34
    academicJournal
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    Si-H系分子動力学ポテンシャルの開発とCVD反応過程への応用
    聡志, 泉 ; 裕輔, 佐藤 ; et al.
    In: 材料 / 日本材料学会 [編], Jg. 52 (2003-03-01), Heft 3, S. 225-230
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Si-H系分子動力学ポテンシャルの開発とCVD反応過程への応用
    聡志, 泉 ; 裕輔, 佐藤 ; et al.
    In: 材料 / 日本材料学会 [編], Jg. 52 (2003-03-01), Heft 3, S. 225-230
    academicJournal
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    CVDダイヤモンドドリルの単結晶Si穴あけ加工への適用
    誠司, 亀岡 ; 敬, 増田 ; et al.
    In: 精密工学会誌 = Journal of the Japan Society for Precision Engineering / 会誌編集委員会 編, Jg. 68 (2002-10-01), Heft 10, S. 1362-1366
    academicJournal
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    CVDダイヤモンドドリルの単結晶Si穴あけ加工への適用
    誠司, 亀岡 ; 敬, 増田 ; et al.
    In: 精密工学会誌 = Journal of the Japan Society for Precision Engineering / 会誌編集委員会 編, Jg. 68 (2002-10-01), Heft 10, S. 1362-1366
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD法によるリチウムイオン電池用機能性負極材の開発
    真幸, 芳尾 ; 達夫, 梅野 ; et al.
    In: 電池技術, Jg. 14 (2002), S. 3-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    寄書 CVDダイヤモンドドリルによる単結晶Siの穴あけ加工性能
    誠司, 亀岡 ; 敬, 増田 ; et al.
    In: 精密工学会誌 = Journal of the Japan Society for Precision Engineering / 会誌編集委員会 編, Jg. 68 (2002), Heft 1, S. 142-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CVD法によるリチウムイオン電池用機能性負極材の開発
    真幸, 芳尾 ; 達夫, 梅野 ; et al.
    In: 電池技術, Jg. 14 (2002), S. 3-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    寄書 CVDダイヤモンドドリルによる単結晶Siの穴あけ加工性能
    誠司, 亀岡 ; 敬, 増田 ; et al.
    In: 精密工学会誌 = Journal of the Japan Society for Precision Engineering / 会誌編集委員会 編, Jg. 68 (2002), Heft 1, S. 142-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    高密度Kr/O2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
    順, 高野 ; 祐司, 斉藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 100 (2000-10-20), Heft 374, S. 17-24
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    高密度Kr/O2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
    順, 高野 ; 祐司, 斉藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 100 (2000-10-20), Heft 374, S. 17-24
    academicJournal
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lg 992 - 1200
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