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    LPE Bi:YIG膜を用いたスピン熱電発電素子中の温度勾配によるスピン流発生原理の検討
    亮太, 松田 ; 正明, 今村 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. MAG = The papers of technical meeting on magnetics, IEE Japan / マグネティックス研究会 [編], Jg. 2023 (2023-12-01), Heft 132-153, S. 55-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE Bi:YIG膜を用いたスピン熱電発電素子中の温度勾配によるスピン流発生原理の検討
    亮太, 松田 ; 正明, 今村 ; et al.
    In: 電気学会研究会資料. MD / モータドライブ研究会 [編], Jg. 2023 (2023-12-01), Heft 138-159, S. 55-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    マイタケLPEの神経栄養作用について--LPEはストレスによるうつを予防、治療する作用(癒し作用)を有するか?
    昭博, 関口 ; 淳良, 仁科
    In: 食品と開発 = Food processing and ingredients, Jg. 42 (2007), Heft 1, S. 62-64
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    マイタケLPEの神経栄養作用について--LPEはストレスによるうつを予防、治療する作用(癒し作用)を有するか?
    昭博, 関口 ; 淳良, 仁科
    In: 食品と開発 = Food processing and ingredients, Jg. 42 (2007), Heft 1, S. 62-64
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE
    Deivasigamani, Mouleeswaran ; Koyama, Tadanobu ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-05-01), Heft 24, S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE
    Deivasigamani, Mouleeswaran ; Koyama, Tadanobu ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-05-01), Heft 23, S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE
    Deivasigamani, Mouleeswaran ; Koyama, Tadanobu ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-05-01), Heft 25, S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE
    Deivasigamani, Mouleeswaran ; Koyama, Tadanobu ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-05-01), Heft 24, S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE
    Deivasigamani, Mouleeswaran ; Koyama, Tadanobu ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-05-01), Heft 23, S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE
    Deivasigamani, Mouleeswaran ; Koyama, Tadanobu ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-05-01), Heft 25, S. 53-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Initial condition and calculation method for the numerical simulation of LPE
    Susawa, Hiromoto ; Tsuji, Toshihiro ; et al.
    In: Journal of chemical engineering of Japan, Jg. 40 (2007-11-01), Heft 11, S. 928-938
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Initial condition and calculation method for the numerical simulation of LPE
    Susawa, Hiromoto ; Tsuji, Toshihiro ; et al.
    In: Journal of chemical engineering of Japan, Jg. 40 (2007-11-01), Heft 11, S. 928-938
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    マイタケ中の神経栄養物質リゾホスファチジルエタノールアミンについて(第2報)LPEはストレスによるうつを予防、治療する作用(癒し作用)を有するか?
    昭博, 関口 ; 淳良, 仁科
    In: 群馬県立産業技術センター研究報告 = Reports of Gunma Industrial Technology Center, Jg. 2006年度 (2006), S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LPE Growth of Bismuth Substituted Iron Garnet Films with in-plane Magnetization
    Kono, T. ; Machi, T. ; et al.
    In: 日本応用磁気学会誌, Jg. 30 (2006), Heft 6-2, S. 600-603
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    マイタケ中の神経栄養物質リゾホスファチジルエタノールアミンについて(第2報)LPEはストレスによるうつを予防、治療する作用(癒し作用)を有するか?
    昭博, 関口 ; 淳良, 仁科
    In: 群馬県立産業技術センター研究報告 = Reports of Gunma Industrial Technology Center, Jg. 2006年度 (2006), S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    LPE Growth of Bismuth Substituted Iron Garnet Films with in-plane Magnetization
    Kono, T. ; Machi, T. ; et al.
    In: 日本応用磁気学会誌, Jg. 30 (2006), Heft 6-2, S. 600-603
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method
    Kawamura, Fumio ; Morishita, Masanori ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters, Jg. 42 (2003-08-01), Heft 8A, S. 879-881
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method
    Kawamura, Fumio ; Morishita, Masanori ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters, Jg. 42 (2003-08-01), Heft 8A, S. 879-881
    academicJournal
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    A Study of LPE HgCdTe Wafer Characteristics Flattened with Single-Point Diamond Turning Method
    Min Yung Lee ; Young Ho Kim ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 105 (2005-06-29), Heft 156, S. 33-38
    academicJournal
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    A Study of LPE HgCdTe Wafer Characteristics Flattened with Single-Point Diamond Turning Method
    Min Yung Lee ; Young Ho Kim ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 105 (2005-06-29), Heft 153, S. 33-38
    academicJournal
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