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    Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO2/Al2O3 stacks
    B. W. H. van de Loo ; Isabella, Olindo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-06-27), Heft 26
    Online unknown
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    Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si
    Bender, Hugo ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-05), S. 192103-192103
    Online unknown
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    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si
    Srinivasan, S. A. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-15), S. 161101-161101
    Online unknown
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    Electrical properties of extended defects in strain relaxed GeSn
    Vrielinck, Henk ; Gencarelli, Federica ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-09), S. 022102-22102
    Online unknown
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    On the manifestation of phosphorus-vacancy complexes in epitaxial Si:P films
    Vandervorst, Wilfried ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 108 (2016), Heft 8
    Online unknown
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    Measurement of a magnonic crystal at millikelvin temperatures
    Karenowska, A. D. ; A. F. van Loo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018), S. 012402-12402
    Online unknown
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    Plasma hydrogenation of strain-relaxed SiGe∕Si heterostructure for layer transfer
    Mantl, S. ; Lau, S. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-22), S. 4944-4946
    Online unknown
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    Patterning conductive copper by nanotransfer printing
    Loo, Yueh-Lin ; Sun, Yangming ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-11), S. 3316-3318
    Online unknown
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    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer
    Trinkaus, H. ; Mantl, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-27), S. 2499-2501
    Online unknown
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    Nanoscale organic transistors that use source/drain electrodes supported by high resolution rubber stamps
    Bao, Zhenan ; Rogers, John A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-02-03), S. 793-795
    Online unknown
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    Large area, high resolution, dry printing of conducting polymers for organic electronics
    Gao, Feng ; Blanchet, Graciela B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-01-20), S. 463-465
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical bistability in a quantum dots/micropillar device with a quality factor exceeding 200 000
    Lemaître, Aristide ; Loo, Vivien ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 2012
    Online unknown
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    Generating femtosecond X-ray pulses using an emittance-spoiling foil in free-electron lasers
    Krejcik, Patrick ; Marinelli, Agostino ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-11-09), S. 191104-191104
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics
    Willett, R. L. ; Loo, Yueh-Lin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-07-15), S. 562-564
    Online unknown
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    Formation of epitaxial CoSi2 films on Si and on Si/Si80Ge20 (100) by reactive deposition epitaxy
    Willander, Magnus ; Caymax, Matty ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-07-01), S. 37-39
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Photoluminescence and microstructure of self‐ordered grown SiGe/Si quantum wires
    Bangert, Ursel ; Dieker, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-09-25), S. 1888-1890
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Selective area growth of high quality InP on Si (001) substrates
    Richard, Olivier ; Wang, Gang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-09-20), S. 121913-121913
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3with Ge1−xSnx- and strained Ge-based channels
    Merckling, Clement ; Gencarelli, Federica ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-05-19), S. 202107-202107
    Online unknown
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    Interaction between O2 and ZnO films probed by time-dependent second-harmonic generation
    Kessels, Wilhelmus M. M. ; Vandalon, Vincent ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-02-03), S. 051602-51602
    Online unknown
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    Anomalous multiplication in Hg0.56Cd0.44Te avalanche photodiodes
    Yen, H. ; Tangonan, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 61 (1992-12-14), S. 2878-2880
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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