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    Theory and Original Design of Resistive-Inductive Network High-Pass Negative Group Delay Integrated Circuit in 130-nm CMOS Technology
    Guerin, Mathieu ; Rahajandraibe, Wenceslas ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 27147-27161
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    Low-Voltage, Low-Area, nW-Power CMOS Digital-Based Biosignal Amplifier
    FRANCESCO, MUSOLINO ; Crovetti, Paolo ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 44106-44115
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    A 6.3-ppm/°C, 100-nA Current Reference With Active Trimming in 28-nm Bulk CMOS Technology
    Ballo, Andrea ; Alfio Dario Grasso ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 108342-108353
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    Subthreshold Modeling of a Tunable CMOS Schmitt Trigger
    Nowbahari, Arian ; Marchetti, Luca ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 10977-10984
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    A CMOS Rectifier Employing Body Biasing Scheme for RF Energy Harvesting
    Al-Absi, Munir A. ; Alkhalifa, Ibrahim M. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 105606-105611
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    Area and Power-Efficient Capacitively-Coupled Chopper Instrumentation Amplifiers in 28 nm CMOS for Multi-Channel Biosensing Applications
    Ngoc Tan Nguyen ; Lee, Jong-Wook ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 86773-86785
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    MemCAM: A Hybrid Memristor-CMOS CAM Cell for On-Chip Caches
    Hasan, Shehzad ; Sadiq, Zareen
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 21296-21305
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    A 12-bit 100MS/s SAR ADC With Equivalent Split-Capacitor and LSB-Averaging in 14-nm CMOS FinFET
    Zheng, Yan ; Lan, Jingchao ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 169107-169121
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A 16.4-dBm 20.3% PAE 22-dB Gain 77 GHz Power Amplifier in 65-nm CMOS Technology
    Trinh, Van-Son ; Park, Jung-Dong
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 159541-159548
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Low-Power Adaptive Integrate-and-Fire Neuron Circuit Using Positive Feedback FET Co-Integrated With CMOS
    Park, Kyungchul ; Kwon, Min-Woo ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 159925-159932
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Highly Efficient and Linear mm-Wave CMOS Power Amplifier Using a Compact Symmetrical Parallel–Parallel Power Combiner With IMD3 Cancellation for 5G Applications
    Ahn, Hyunjin ; Nam, Ilku ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 150304-150321
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 25.1 dBm 25.9-dB Gain 25.4% PAE X-band Power Amplifier Utilizing Voltage Combining Transformer in 65-nm CMOS
    Trinh, Van-Son ; Park, Jung-Dong
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 6513-6521
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Highly Efficient and Linear mm-Wave CMOS Power Amplifier Using a Compact Symmetrical Parallel–Parallel Power Combiner With IMD3 Cancellation for 5G Applications
    Ahn, Hyunjin ; Oh, Kyutaek ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 150304-150321
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A D-Band Power Amplifier in 65-nm CMOS by Adopting Simultaneous Output Power-and Gain-Matched Gmax -Core
    Yun, Byeonghun ; Hafiz Usman Mahmood ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 99039-99049
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 25.1 dBm 25.9-dB Gain 25.4% PAE X-band Power Amplifier Utilizing Voltage Combining Transformer in 65-nm CMOS
    Park, Jung-Dong ; Trinh, Van-Son
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 6513-6521
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    Design of a Wideband CMOS Balun and Its Application in a Wideband RF Front-End
    Wang, Keping ; Zhou, Tongxuan ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 94416-94425
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    An N-Path Sub-GHz Ultra-Low Power Receiver Exploiting an N-Path Notch Filter Topology in 90 nm CMOS
    Lei, Lei ; Li, Xiao ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 26224-26236
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    An Automated Design Methodology for Ring Voltage-Controlled Oscillators in Nanometer CMOS Technologies
    Lee, Dongjun ; Park, Gijin ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 7530-7539
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    Calibration-Free Blocker Rejection Broadband CMOS Low Noise Amplifier for Advanced Cellular Applications
    Jeong, Juhui ; Kim, Subin ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 7739-7750
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Baseband-Noise-Cancelling Mixer-First CMOS Receiver Frontend Attaining 220 MHz IF Bandwidth With Positive-Capacitive-Feedback TIA
    Wang, Haishi ; Guo, Benqing ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 26320-26328
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