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    CMOS X‐band pole‐converging triple‐cascode LNA with low‐noise and wideband performance
    Wang, Zhe ; Cao, Cheng ; et al.
    In: IET Circuits, Devices and Systems, Jg. 16 (2022), Heft 1, S. 26-39
    Online unknown
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    28 GHz compact 4‐way Wilkinson power divider/combiner using RCIN and mutual inductors in 0.13 μm CMOS technology
    Song, Jae‐Hyeok ; Oh, Hyun‐Myung ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-04-10), S. 2224-2229
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    High isolation and high power of 0.13 µm CMOS SPDT switch using deep‐N‐well transistors and floating‐body technique in K‐band
    Wang, Zongxiang ; Cheng, Guoxiao ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-03-16), S. 2126-2131
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    A low power and soft error resilience guard‐gated Quartro‐based flip‐flop in 45 nm CMOS technology
    Sabavat Satheesh Kumar ; Blaabjerg, Frede ; et al.
    In: IET Circuits, Devices and Systems, Jg. 15 (2021-09-01), Heft 6, S. 571-580
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    A 10‐bit 1GSample/s hybrid digital‐to‐analog converter with a modified thermometer decoder in 65‐nm CMOS technology
    Ghasemi, Razieh ; Mohammad Azim Karami
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 50 (2021-10-30), S. 83-107
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    A miniaturized <scp>35 GHz</scp> 65‐nm <scp>CMOS digital‐controlled</scp> differential variable gain amplifier
    Zuo Min Tsai ; Wei Chung Cheng
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 64 (2021-09-23), S. 90-96
    Online unknown
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    Low power ASK modulator based on direct injection‐locked current reuse VCO in 130‐nm CMOS technology for high data rate RFID applications
    Cao, Cheng ; Yasir, Umair ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 50 (2021-09-21), S. 56-71
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    Current reused <scp>CMOS RF‐DAC</scp> for <scp>IoT</scp> applications
    Hong, Songcheol ; Jeong, Gwanghyeon
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021-08-23), S. 2991-2996
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A 0.37‐in. 5900PPI liquid crystal on silicon CMOS SoC using low voltage high dynamic voltage range novel pixel circuit for augmented reality micro‐displays
    Kim, Eun-Su ; Kim, Chulwoo ; et al.
    In: Journal of the Society for Information Display, Jg. 29 (2021-06-23), S. 785-792
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ultra‐low power TIA with variable bandwidth in 0.13 μm CMOS for short‐range optical interconnects
    Hashmi, Mohammad S. ; Ikechi Augustine Ukaegbu ; et al.
    In: The Journal of Engineering, Jg. 2021 (2021-05-01), Heft 5, S. 295-300
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A new blind image conversion complexity metric for intelligent CMOS image sensors
    Elmezayen, Mohamed R. ; Ay, Suat U.
    In: IET Image Processing, Jg. 15 (2021-02-01), Heft 3, S. 683-695
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 4GS/s 8‐bit time‐interleaved SAR ADC with an energy‐efficient architecture in 130 nm CMOS
    Reyes, Benjamin T. ; Galetto, Agustin C. ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 49 (2021-05-02), S. 3171-3185
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    7‐2: Invited Paper: A 40 nm Gate Length Surrounding Gate Vertical‐Channel FET Using Thermally Stable In‐Al‐Zn‐O Channel for 3D CMOS‐LSI Applications
    Ueda, Tomomasa ; Ikeda, Keiji ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 52 (2021-05-01), S. 61-64
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    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    MEMS Using CMOS Wafer
    Fang, Weileun ; Chiu, Yi ; et al.
    In: 3D and Circuit Integration of MEMS, 2021-04-23, S. 131-220
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    An intermodulation distortion estimation method for linear CMOS circuits
    Sotiriadis, Paul P. ; Baxevanakis, Dimitrios ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 49 (2021-03-30), S. 1244-1260
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Inadequacy of the classical formulation of the CMOS Schmitt trigger
    Anselmo Luís da Silva Júnior ; Márcio Cherem Schneider ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 49 (2021-03-14), S. 1261-1273
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    E‐band broadband digital controlled phase‐inverting variable gain amplifier in 65‐nm CMOS
    Feng, Yikun ; Zhao, Dixian
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-02-01), Heft 4, S. 179-182
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    Three‐stage transformer‐coupled CMOS power amplifier for millimeter‐wave applications using 130 nm CMOS technology
    Mansour, Marwa ; Mansour, Islam
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 50 (2022-06-24), S. 3567-3583
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A <scp>50 Gb</scp> /s <scp>PAM</scp> ‐4 <scp>VCSEL</scp> diode driver in 90 nm <scp>CMOS</scp> technology
    Jou, Jau-Ji ; Shih, Tien-Tsorng ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021-01-28), S. 1682-1687
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    Performance comparison of RF energy harvesting rectifiers designed in CMOS FDSOI 28 nm with dynamic back gate biasing and BiCMOS 55 nm technology
    Benech, Philippe ; Duchamp, Jean-Marc ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021-01-22), S. 1411-1415
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